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0.2THz宽带非平衡式倍频电路研究

发布时间:2018-11-20 07:32
【摘要】:基于四阳极结反向串联型GaAs平面肖特基二极管,设计并实现了0.2THz宽带非平衡式二次倍频电路。肖特基二极管倒装焊接在75μm石英电路上。在小功率和大功率注入条件下,测试了倍频电路的输出功率和倍频效率。输入功率在10~15mW时,通过加载正向偏置电压,在210~224GHz,倍频效率大于3%,在212GHz处有最高点倍频效率为7.8%。输入功率在48~88mW时,在自偏压条件下,210~224GHz带内倍频效率大于3.6%,在214GHz处测得最大倍频效率为5.7%。固定输出频率为212GHz,在132mW功率注入时,自偏压输出功率最大为5.7mW,加载反向偏置电压为-0.8V时,输出功率为7.5mW。
[Abstract]:Based on four-anode junction reverse series GaAs planar Schottky diode, a 0.2THz wideband unbalanced secondary frequency doubling circuit is designed and implemented. Schottky diode is inversely welded to 75 渭 m quartz circuit. Under the condition of low power and high power injection, the output power and frequency doubling efficiency of the frequency doubling circuit are tested. When the input power is at 10~15mW, by loading forward bias voltage, the frequency doubling efficiency is greater than 3 at 210g 224GHz, and the frequency doubling efficiency is 7.8 at the highest point of 212GHz. When the input power is at 48~88mW, under the condition of self-bias voltage, the frequency doubling efficiency in the 210~224GHz band is greater than 3.6, and the maximum frequency doubling efficiency measured at 214GHz is 5.7. The fixed output frequency is 212GHz. When 132mW power is injected, the maximum output power of self-bias voltage is 5.7 MW, and the output power is 7.5 MW when loading reverse bias voltage is -0.8 V.
【作者单位】: 专用集成电路重点实验室;中国电子科技集团公司第十三研究所;
【分类号】:TN702;TN311.7

【参考文献】

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【共引文献】

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本文编号:2344257


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