一步掩膜法制备ZnO纳米线忆阻器

发布时间：2018-11-26 08:39

【摘要】：本文基于单根ZnO纳米线(NW),采用一步掩膜的方法制备了Au/ZnO NW/Au忆阻器。器件表现出无极性忆阻行为,开关比可达10~5以上。低阻态具有半导体导电特性,推测忆阻行为可能来源于ZnO NW表面氧空位形成的不连续导电丝的通断。一步掩膜法工艺简单,制备过程对器件污染少,因此是制备纳米线器件的有效方法。
[Abstract]:In this paper, a single ZnO nanowire (NW), is used to fabricate the Au/ZnO NW/Au resistor by one step mask method. The device exhibits nonpolar amnesia with a switching ratio of more than 10 ~ 5. The low resistance state has the semiconductor conductive property. It is speculated that the amnesia behavior may come from the discontinuous conducting wire formed by the oxygen vacancy on the surface of ZnO NW. One-step mask method is an effective method for fabricating nanowire devices because of its simple process and less pollution.
【作者单位】： 浙江工业大学理学院;中国科学院宁波材料技术与工程研究所;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(51272261,61474127)
【分类号】：TN605

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本文编号：2357998