半导体薄膜晶体管的节能设计方法研究

发布时间：2018-11-26 18:13

【摘要】：以往提出的半导体薄膜晶体管的节能设计方法,受到半导体薄膜晶体管不易受控缺陷的影响,节能效果不佳,故提出一种性能更为优异的半导体薄膜晶体管的节能设计方法。概述了半导体薄膜晶体管中电源回路和驱动电路的节能设计原理,并给出终端设备架构设计方案。使用电源回路控制半导体薄膜晶体管供电频率,实现基本节能。利用驱动电路进一步调节电能损耗、管理电源回路的电流谐波,改善半导体薄膜晶体管的开关性能。并以构建模型的方式对电路噪音进行消除,优化储能水平。经实验验证可得,所提方法下的半导体薄膜晶体管拥有优良的开关性能和储能水平,并且节能效果较好。
[Abstract]:The energy saving design method of semiconductor thin film transistors has been put forward in the past, which is influenced by the defect of semiconductor thin film transistors, and the energy saving effect is not good. Therefore, an energy saving design method of semiconductor thin film transistors with better performance is proposed. The energy saving design principle of power supply circuit and drive circuit in semiconductor thin film transistor is summarized, and the design scheme of terminal equipment architecture is given. The power supply circuit is used to control the power supply frequency of semiconductor thin film transistor to achieve basic energy saving. The drive circuit is used to further regulate the power loss, to manage the current harmonics of the power supply loop, and to improve the switching performance of the semiconductor thin film transistor. The noise of the circuit is eliminated and the energy storage level is optimized by constructing the model. The experimental results show that the semiconductor thin film transistor has good switching performance and energy storage level, and the energy saving effect is good.
【作者单位】： 汕尾职业技术学院;华南理工大学电子与信息学院;
【基金】：国家自然科学基金(61274085)
【分类号】：TN321.5

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本文编号：2359262