铌酸锂低半波电压电光调制器研究

发布时间：2018-11-26 18:41

【摘要】：对降低铌酸锂(LN)电光调制器的半波电压进行了研究,探索了利用反射结构实现低半波电压的原理。通过退火质子交换工艺在x切LN晶片上制作了反射结构的LN电光调制器。测试表明,这种反射结构的LN电光调制器在保持器件长度不变的条件下可以降低半波电压。
[Abstract]:The reduction of half-wave voltage of lithium niobate (LN) electro-optic modulator is studied, and the principle of using reflection structure to realize low half-wave voltage is explored. A reflective LN electro-optic modulator was fabricated on x-cut LN wafer by annealing proton exchange process. The test results show that the LN electro-optic modulator with reflective structure can reduce the half-wave voltage while keeping the length of the device constant.
【作者单位】： 全球能源互联网研究院;电子科技大学通信与信息工程学院;
【分类号】：TN761

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本文编号：2359317