NEA GaN光电阴极材料光学特性研究

发布时间：2018-11-28 09:58

【摘要】：针对NEA GaN光电阴极结构设计和制备工艺需进一步优化的问题,结合阴极量子效率表达式和影响量子效率的因素,采用理论和实验相结合的方法,分别研究了GaN光电阴极材料的表面反射率、光学折射率、光谱吸收系数以及透射光谱等光学参数。结果表明在250 nm到365 nm的波长范围内,表面反射率相对平稳,是影响量子效率的直接因素,而光学折射率则通过电子表面逸出几率间接影响着量子效率。给出了均匀掺杂GaN光电阴极的光谱吸收系数的特点,根据变掺杂NEA GaN光电阴极的结构特点,给出了光谱平均吸收系数的概念和等价计算公式,并对均匀掺杂与变掺杂NEA GaN光电阴极光谱吸收系数进行了对比。
[Abstract]:Aiming at the problem that the structure design and fabrication process of NEA GaN photocathode need to be further optimized, combining the expression of quantum efficiency of cathode and the factors affecting quantum efficiency, the method of combining theory with experiment is adopted. The surface reflectivity, optical refractive index, spectral absorption coefficient and transmission spectrum of GaN photocathode materials were studied. The results show that in the wavelength range of 250 nm to 365 nm, the surface reflectivity is relatively stable, which is the direct factor affecting the quantum efficiency, while the optical refractive index indirectly affects the quantum efficiency through the probability of electron surface escape. The characteristics of spectral absorption coefficient of uniformly doped GaN photocathode are given. According to the structural characteristics of variable-doped NEA GaN photocathode, the concept of spectral average absorption coefficient and equivalent calculation formula are given. The spectral absorption coefficients of uniformly doped and variable doped NEA GaN photocathodes are compared.
【作者单位】：南阳理工学院电子与电气工程学院;南京理工大学电子工程与光电技术学院;
【基金】：国家自然科学基金(批准号:61371058)资助的课题
【分类号】：TN304.2

【参考文献】

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