大高宽比纳米硅立柱的感应耦合等离子体刻蚀工艺优化

发布时间：2018-12-10 06:56

【摘要】：针对氢基硅倍半氧烷(hydrogen silsesquioxane,HSQ)作为深反应离子刻蚀(DRIE)掩膜形成大高宽比纳米硅立柱的工艺进行了系统研究。优化了刻蚀工艺中线圈功率、极板功率和气体流量参数,减小了横向刻蚀,使形貌垂直性得到了更好的控制,并实现了13.3μm高度和低侧壁粗糙度的垂直硅纳米柱阵列,其高宽比(高度/半高宽)达到了36。利用不同的刻蚀工艺条件得到了不同侧壁形貌以及不同尺寸、高度的硅纳米柱结构。
[Abstract]:In this paper, the process of preparing nanocrystalline silicon column with high aspect ratio by deep reactive ion etching of (DRIE) mask by hydrogen-based silane (hydrogen silsesquioxane,HSQ) was studied systematically. The parameters of coil power, plate power and gas flow are optimized, the transverse etching is reduced, the vertical morphology is controlled better, and the vertical silicon nanocolumn array with 13.3 渭 m height and low sidewall roughness is realized. The aspect ratio (height / half maximum width) is 36. 6%. Different side wall morphology and different size and height silicon nanocolumn structures were obtained by different etching process conditions.
【作者单位】： 复旦大学信息科学与工程学院专用集成电路与系统国家重点实验室;中国科学院上海应用物理研究所;中国科学院上海技术物理研究所;
【基金】：国家自然科学基金项目(61574043) 上海STCSM项目(15JC1401000) 中国科学院开放项目(2015KF003)
【分类号】：TN305.7

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本文编号：2370159