量子点发光器件的制备与仿真分析

发布时间：2018-12-11 09:12

【摘要】：为研究量子点发光器件结构与性能的关系,制备了以CdSe/ZnS量子点作为发光层、poly-TPD作为空穴传输层,Alq_3作为电子传输层的量子点发光二极管,对器件结构及性能参数进行了表征,结果显示器件具有开启电压低、色纯度高等特点。结合测试数据,对量子点发光二极管进行了器件结构建模,利用隧穿模型及空间电荷限制电流模型对实验结果进行了分析,研究了器件中载流子的注入与传输机理。器件测试与仿真结果表明:各功能层厚度会影响载流子在量子点层的注入平衡,同时器件中载流子的注入与传输存在一转变电压,当外加电压低于转变电压时,器件中载流子的注入主要符合隧穿模型;当外加电压高于转变电压时,器件中载流子的注入主要符合空间电荷限制电流模型。研究结果验证了器件结构建模的合理性,可以利用仿真的方法进行器件结构优化并确定相关参数,这对器件性能的提高具有指导意义。
[Abstract]:In order to study the relationship between the structure and properties of quantum dot luminescent devices, a quantum dot light-emitting diode with CdSe/ZnS quantum dot as luminescent layer, poly-TPD as hole transport layer and Alq_3 as electron transport layer was prepared. The structure and performance parameters of the device are characterized. The results show that the device has the characteristics of low turn-on voltage and high color purity. Based on the measured data, the device structure of QDs is modeled. The experimental results are analyzed by tunneling model and space charge-limited current model, and the mechanism of carrier injection and transmission in the device is studied. The results of device test and simulation show that the thickness of each functional layer will affect the equilibrium of carrier injection in the quantum dot layer. At the same time, the carrier injection and transmission in the device have a transition voltage, when the applied voltage is lower than the transition voltage, The carrier injection in the device is mainly in accordance with the tunneling model. When the applied voltage is higher than the transition voltage, the carrier injection in the device mainly accords with the space charge-limited current model. The research results verify the rationality of the device structure modeling. The simulation method can be used to optimize the device structure and determine the relevant parameters, which has a guiding significance for the improvement of device performance.
【作者单位】： 北京信息科技大学自动化学院;北京交通大学电子信息工程学院;
【基金】：北京市自然基金项目(4122028) 北京市重点学科建设项目(PXM2014-014224-000018) 北京市研究生联合培养基地建设项目(71C1411017)
【分类号】：TN312.8

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本文编号：2372287