激光辐照GaN改善其欧姆特性的研究进展

发布时间：2018-12-15 08:31

【摘要】：GaN材料在高频、高功率、高温、高密度集成电子器件等领域具有广阔的应用前景,是全球半导体领域研究的前沿和热点。近几年,对低接触电阻率的金属/GaN欧姆接触的研究取得了巨大进步,但金属/GaN欧姆接触仍是制约GaN器件发展的重要因素之一,激光技术的引进为金属/GaN欧姆接触的实现提供了新方法。总结了激光辐照改善GaN材料欧姆特性的研究,介绍了准分子激光辐照对GaN材料空穴浓度的改变及其欧姆接触特性改善机理的研究进展,讨论了激光辐照GaN获得低欧姆接触电阻率的方案,以便探究获得更优良金属/GaN欧姆接触的研究方向。
[Abstract]:GaN materials have a broad application prospect in high frequency, high power, high temperature, high density integrated electronic devices and so on. In recent years, great progress has been made in the study of metal / GaN ohmic contact with low contact resistivity, but metal / GaN ohmic contact is still one of the important factors restricting the development of GaN devices. The introduction of laser technology provides a new method for the realization of metal / GaN ohmic contact. The research on improving the ohmic properties of GaN materials by laser irradiation is summarized. The research progress on the change of hole concentration and ohmic contact characteristics of GaN materials induced by excimer laser irradiation is introduced. The scheme of obtaining low ohmic contact resistivity by laser irradiated GaN is discussed in order to explore the research direction of obtaining better metal / GaN ohmic contact.
【作者单位】： 中国科学技术大学环境科学与光电技术学院;中国科学院安徽光学精密机械研究所;
【基金】：脉冲功率激光技术国家重点实验室开放研究基金资助项目,SKL2014KF03~~
【分类号】：TN304

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本文编号：2380342