InP基光电探测器材料的MOCVD锌扩散

发布时间：2018-12-17 05:21

【摘要】：锌(Zn)扩散是制作InP基光电探测器(PD)的重要工艺过程。分析了锌扩散的机制,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备对InP基PD及雪崩光电探测器(APD)材料进行了锌扩散,由于MOCVD设备具有精确的温度控制系统,所以该扩散工艺具有简单、均匀性好、重复性好的优点。对于扩散后的样品,采用电化学C-V方法和扫描电子显微镜(SEM)等测试分析手段,研究了退火、扩散温度、扩散源体积流量和反应室压力等主要工艺参数对InP材料扩散速率和载流子浓度的影响,并将该锌扩散工艺应用于InP基光电探测器和雪崩光电探测器的器件制作中,得到了优异的器件性能结果。
[Abstract]:Zinc (Zn) diffusion is an important process for making InP based photodetector (PD). The mechanism of zinc diffusion was analyzed. Zinc diffusion was carried out on InP based PD and avalanche photodetector (APD) materials by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) equipment. Because of the precise temperature control system of MOCVD equipment, Therefore, the diffusion process has the advantages of simple, good uniformity and good repeatability. For the diffused samples, the annealing and diffusion temperatures were studied by electrochemical C-V method and scanning electron microscope (SEM) (SEM). The effect of the main process parameters such as volume flow rate of diffusion source and pressure of reaction chamber on the diffusion rate and carrier concentration of InP materials was investigated. The zinc diffusion process was applied to the fabrication of InP based photodetectors and avalanche photodetectors. Excellent performance results are obtained.
【作者单位】： 中国电子科技集团公司第十三研究所;
【分类号】：TN304.055

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本文编号：2383718