GaSb和GaInSb晶体制备工艺研究进展

发布时间：2018-12-21 12:39

【摘要】：介绍了GaSb单晶的制备方法,包括提拉(CZ)法、垂直布里奇曼(VB)法、水平布里奇曼(HB)法、垂直定向凝固(VDS)法和垂直梯度冷凝(VGF)法,总结了它们的优缺点。研究结果表明,VB法、VDS法和VGF法更适合GaSb单晶的生长。进一步介绍了三元合金GaInSb晶体生长工艺的研究进展,微重力环境可以有效抑制晶体中In元素的成分偏析,提高晶体的均匀性。简单介绍了GaSb单晶材料在器件制作方面的应用,展望了GaInSb晶体材料的发展前景。
[Abstract]:The preparation methods of GaSb single crystals are introduced, including Czochralski method, vertical Bridgman (VB) method, horizontal Bridgman (HB) method, vertical directional solidification (VDS) method and vertical gradient condensation (VGF) method. Their advantages and disadvantages are summarized. The results show that VB method, VDS method and VGF method are more suitable for the growth of GaSb single crystal. The progress in the growth process of ternary alloy GaInSb crystal is further introduced. The microgravity environment can effectively restrain the segregation of In elements in the crystal and improve the homogeneity of the crystal. The application of GaSb single crystal material in device fabrication is briefly introduced, and the development prospect of GaInSb crystal material is prospected.
【作者单位】： 天津工业大学材料科学与工程学院;
【基金】：国家自然科学基金(50972085)
【分类号】：O782;TN304

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