GaN基p-i-n和肖特基紫外探测器的响应光谱及暗电流特性

发布时间：2018-12-23 08:59

【摘要】：研究了p-i-n型和肖特基型Ga N基紫外探测器的响应光谱和暗电流特性。实验发现,随着p-Ga N层厚度的增加,p-i-n型紫外探测器的响应度下降,并且在短波处下降更加明显。肖特基探测器的响应度明显比pi-n结构高,主要是由于p-Ga N层吸收了大量的入射光所致。肖特基型紫外探测器的暗电流远远大于p-i-n型紫外探测器的暗电流,和模拟结果基本一致,主要是肖特基型探测器是多子器件,而p-i-n型探测器是少子器件。要制备响应度大、暗电流小的高性能Ga N紫外探测器,最好采用p-Ga N层较薄的p-i-n结构。
[Abstract]:The response spectra and dark current characteristics of p-i-n and Schottky type Ga N based UV detectors are studied. It is found that the responsivity of the p-i-n UV detector decreases with the increase of the thickness of the p-Ga N layer, and the decrease is more obvious at the shortwave. The responsivity of Schottky detector is obviously higher than that of pi-n structure, which is mainly due to the large amount of incident light absorbed by p-Ga N layer. The dark current of Schottky type ultraviolet detector is much larger than that of p-i-n type ultraviolet detector, which is basically consistent with the simulation results. The Schottky type detector is a multi-carrier device, while the p-i-n type detector is a minority carrier device. In order to fabricate high performance Ga N UV detectors with high responsivity and low dark current, a thin p-i-n structure with p-Ga N layer is preferred.
【作者单位】： 中国农业大学理学院应用物理系;中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室;
【基金】：国家自然科学基金(61474142,21403297,11474355)资助项目~~
【分类号】：TN23

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本文编号：2389738