利用脉冲激光的片上系统芯片单粒子效应试验

发布时间：2019-01-14 12:12

【摘要】：为评估脉冲激光试验对研究SoC(片上系统芯片)单粒子效应的有效性,构建了一个65 nm SoC的脉冲激光试验系统,并进行了试验。提出并采用坐标定位法、有源区聚焦法、ΔZ补偿法等针对大规模倒装焊集成电路的试验方法。对SoC的片上存储器、寄存器文件、RapidIO、DICE触发器等部件进行了脉冲激光试验和分析。结果表明:片上存储器对脉冲激光最为敏感,部件的激光试验与相应的重离子试验现象吻合,利用脉冲激光试验可有效研究纳米工艺下大规模集成电路的单粒子效应。
[Abstract]:In order to evaluate the effectiveness of pulsed laser experiment in studying the single particle effect of SoC (system on Chip), a 65 nm SoC pulsed laser test system was constructed and tested. The test methods such as coordinate positioning method, active zone focusing method and 螖 Z compensation method for large scale reverse assembly welding integrated circuits are proposed and adopted. The pulse laser test and analysis of the on-chip memory, register file and RapidIO,DICE trigger of SoC are carried out. The results show that the on-chip memory is the most sensitive to pulsed laser, and the laser experiments of the components are consistent with the corresponding heavy ion experiments. The single-particle effect of large-scale integrated circuits in nanotechnology can be effectively studied by using the pulsed laser test.
【作者单位】： 国防科技大学计算机学院;国防科技大学并行与分布处理重点实验室;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61434007,61376109,61504169)
【分类号】：TN47

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本文编号：2408682