硅埋置型毫米波系统级封装中光敏BCB工艺改进

发布时间：2019-01-25 20:16

【摘要】：硅埋置型毫米波系统级封装中,传统光敏BCB工艺常在沟槽处引入气泡及凹陷,导致上层金属线不连续。为减少气泡与凹陷的产生,提出一种新型涂覆工艺——"双型三次涂覆工艺",即在使用大厚度BCB的基础上,引入低粘滞性BCB,并三次涂覆BCB。采用此工艺对Ka波段低噪声放大器进行封装,发现气泡数量及凹陷程度大大减小,证明了此工艺的可行性及有效性。在25 GHz～37 GHz频段内,封装后比封装前增益减少1dB,满足高性能封装要求。
[Abstract]:In silicon-embedded millimeter-wave system-level packaging, the conventional Guang Min BCB process often introduces bubbles and depressions into the grooves, resulting in discontinuity of the metal wires in the upper layer. In order to reduce the generation of bubble and depression, a new coating process, "double type tertiary coating process", is proposed, that is, on the basis of using large thickness BCB, low viscosity BCB, is introduced and BCB. is coated three times. The Ka band low noise amplifier is encapsulated by this process, and it is found that the number of bubbles and the degree of depression are greatly reduced, which proves the feasibility and effectiveness of this process. In the 25 GHz~37 GHz band, the gain of the package is reduced by 1 dB than that of the pre-package, which meets the requirement of high performance packaging.
【作者单位】： 上海大学通信与信息工程学院;中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
【基金】：国家重大仪器项目(2012YQ14003702)
【分类号】：TN405

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本文编号：2415151