漏电流对CMOS探测器成像品质的影响分析

发布时间：2019-01-26 20:49

【摘要】：CMOS探测器近年来在工业、民用、航天等领域得到了广泛的应用,而漏电流对CMOS探测器成像品质影响的研究却较少。文章针对CMOS探测器在低读出速率时造成图像噪声过大的原因进行了分析,发现CMOS探测器的漏电流是产生该种图像噪声主要成因,并对不同读出速率下的像质进行了试验分析。理论和试验结果表明:在较低的读出速率时,CMOS探测器的漏电流产生的噪声过大,导致图像噪声的增大,影响了像质。因此,设计CMOS相机时应重点考虑低读出速率时,CMOS探测器漏电流对像质的影响,必要时要增加缓存,以便获得更好的像质。文章将为CMOS探测器在低速读出应用、设计提供一定的参考。
[Abstract]:In recent years, CMOS detectors have been widely used in industrial, civil, aerospace and other fields, but the effects of leakage current on the imaging quality of CMOS detectors are less studied. In this paper, the cause of excessive image noise caused by CMOS detector at low readout rate is analyzed. It is found that the leakage current of CMOS detector is the main cause of the image noise, and the image quality at different readout rates is analyzed experimentally. The theoretical and experimental results show that the noise produced by leakage current of CMOS detector is too large at low readout rate, which leads to the increase of image noise and affects the image quality. Therefore, when designing CMOS camera, the effect of leakage current of CMOS detector on image quality should be taken into account when low readout rate is considered, and buffer should be added if necessary in order to obtain better image quality. This paper will provide some reference for the application of CMOS detector in low speed readout.
【作者单位】： 中国运载火箭技术研究院研究发展中心;
【分类号】：TN386.1

【参考文献】

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【共引文献】

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本文编号：2415896