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与半导体相容的半金属铁磁体

发布时间:2017-03-01 11:15

  本文关键词:可延展柔性无机微纳电子器件原理与研究进展,,由笔耕文化传播整理发布。


[1] 高松, 盛新志, 冯震, 吴重庆, 董宏辉. 基于半导体光放大器中非线性偏振旋转效应单一光缓存环全光时隙交换处理能力研究[J]. 物理学报, 2014, 63(8): 84205-084205.

[2] 张锐, 赵学玒, 胡雅君, 郭媛, 王喆, 赵迎, 李子晓, 汪曣. 一种用于一次谐波背景消除与基线校正的新型方法[J]. 物理学报, 2014, 63(7): 70702-070702.

[3] 孙政, 陈少平, 杨江锋, 孟庆森, 崔教林. 非等电子Sb替换Cu和Te后黄铜矿结构半导体Cu3Ga5Te9的热电性能[J]. 物理学报, 2014, 63(5): 57201-057201.

[4] 耿辉, 刘建国, 张玉钧, 阚瑞峰, 许振宇, 姚路, 阮俊. 基于可调谐半导体激光吸收光谱的酒精蒸汽检测方法[J]. 物理学报, 2014, 63(4): 43301-043301.

[5] 刘瑞兰, 王徐亮, 唐超. 基于粒子群算法的有机半导体NPB传输特性辨识[J]. 物理学报, 2014, 63(2): 28105-028105.

[6] 辛艳辉, 刘红侠, 王树龙, 范小娇. 对称三材料双栅应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管二维解析模型[J]. 物理学报, 2014, 63(14): 148501-148501.

[7] 张锐, 赵学玒, 赵迎, 王喆, 汪曣. 激光器特性在痕量气体检测中的影响[J]. 物理学报, 2014, 63(14): 140701-140701.

[8] 翟东媛, 赵毅, 蔡银飞, 施毅, 郑有炓. 沟槽形状对硅基沟槽式肖特基二极管电学特性的影响[J]. 物理学报, 2014, 63(12): 127201-127201.

[9] 杨伟, 梁继然, 刘剑, 姬扬. 在半导体-金属相变温度附近氧化钒薄膜光学性质的异常变动[J]. 物理学报, 2014, 63(10): 107104-107104.

[10] 周春宇, 张鹤鸣, 胡辉勇, 庄奕琪, 吕懿, 王斌, 王冠宇. 应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管电荷模型[J]. 物理学报, 2014, 63(1): 17101-017101.

[11] 冯雪, 陆炳卫, 吴坚, 林媛, 宋吉舟, 宋国锋, 黄永刚. 可延展柔性无机微纳电子器件原理与研究进展[J]. 物理学报, 2014, 63(1): 14201-014201.

[12] 朱敏昊, 吴学健, 尉昊赟, 张丽琼, 张继涛, 李岩. 基于飞秒光频梳的压电陶瓷闭环位移控制系统[J]. 物理学报, 2013, 62(7): 70702-070702.

[13] 吴晓鹏, 杨银堂, 高海霞, 董刚, 柴常春. 基于深亚微米工艺的栅接地NMOS静电放电保护器件衬底电阻模型研究[J]. 物理学报, 2013, 62(4): 47203-047203.

[14] 陈玖英, 刘建国, 何亚柏, 王辽, 冮强, 许振宇, 姚路, 袁松, 阮俊, 何俊峰, 戴云海, 阚瑞峰. 2.0 μm处CO2高温谱线参数测量研究[J]. 物理学报, 2013, 62(22): 224206-224206.

[15] 魏文喆, 郭祥, 刘珂, 王一, 罗子江, 周清, 王继红, 丁召. InAs(001)表面脱氧动力学分析[J]. 物理学报, 2013, 62(22): 226801-226801.


  本文关键词:可延展柔性无机微纳电子器件原理与研究进展,由笔耕文化传播整理发布。



本文编号:246559

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