基于GaN HEMT的Doherty功率放大器设计

发布时间：2019-04-29 09:08

【摘要】：设计一款基于GaN HEMT的S波段Doherty功率放大器(DPA)。主放大器是采用GaN HEMT设计的AB类功放,辅助放大器是GaN HEMT的C类功放。利用ADS对电路进行仿真,单音测试结果表明,DPA工作频率在2.3~2.4 GHz,输入功率为29 dBm时,工作增益不小于14 dB,输出功率大于43 dBm,功率附加效率超过65%。分析了辅助放大器偏置电压对DPA性能的影响,偏置电压变小,DPA的效率和线性度较好。
[Abstract]:Design of an S-band Doherty Power Amplifier (DPA). Based on GaN HEMT The main amplifier is the AB class amplifier designed by GaN HEMT, and the auxiliary amplifier is the class C power amplifier of GaN HEMT. ADS is used to simulate the circuit. The single tone test results show that the operating gain of the DPA is not less than 14 dB, when the input power is 29 dBm, the output power of 14 dB, is more than 43 dBm, and the additional efficiency of power is more than 65%. The effect of auxiliary amplifier bias voltage on the performance of DPA is analyzed. The bias voltage decreases and the efficiency and linearity of DPA are better.
【作者单位】： 湖北大学计算机与信息工程学院;
【基金】：国家级大学生创业训练项目资助(201210512087) 国家自然科学基金项目资助(51472079)
【分类号】：TN722.75

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本文编号：2468144