Te掺杂对GaInP外延层材料特性的影响

发布时间：2019-06-21 21:42

【摘要】：采用Aixtron 2600G3MOCVD设备外延生长了GaAs/GaInP材料,并结合金相显微镜、X射线衍射仪以及二次离子质谱仪系统地研究了掺杂源Te对GaInP外延层材料特性的影响。实验发现,Te会破坏GaInP外延层的表面形貌,在GaInP表面形成丘状结构及线条,且该丘状结构的尺寸随着GaInP厚度的增加而逐渐增大。在掺杂浓度较高时,Te会破坏GaInP的晶格,造成晶格膨胀。GaInP中Te的并入效率随着厚度的增加而增加,且掺杂浓度越高就越快趋于平稳。此外,Te在As化物中的并入效率大于在P化物中的并入效率。
[Abstract]:GaAs/GaInP materials were grown by Aixtron 2600G3MOCVD equipment, and the effects of doping source Te on the properties of GaInP epitaxial layer were systematically studied by alloy phase microscope, X-ray diffractometer and secondary ion mass spectrometer. It is found that Te can destroy the surface morphology of GaInP epitaxial layer and form a mound structure and line on the surface of GaInP, and the size of the mound structure increases with the increase of GaInP thickness. When the doping concentration is high, Te will destroy the lattice of GaInP, resulting in lattice expansion. The incorporation efficiency of Te in GaInP increases with the increase of thickness, and the higher the doping concentration, the faster it tends to be stable. In addition, the incorporation efficiency of Te in As compounds is higher than that in Pcompounds.
【作者单位】： 厦门乾照光电股份有限公司;
【基金】：国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2011AA050512)
【分类号】：TN304.2

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本文编号：2504368