GaN基肖特基势垒二极管结构优化研究进展

发布时间：2019-06-26 20:43

【摘要】：作为宽禁带半导体器件,GaN基肖特基势垒二极管(SBD)有耐高压、耐高温、导通电阻小等优良特性,这使得它在电力电子等领域有广泛应用。本文首先综述了SBD发展要解决的问题;然后,介绍了GaN SBD结构、工作原理及结构优化研究进展;接下来,总结了AlGaN/GaN SBD结构、工作原理及结构优化研究进展,并着重从AlGaN/GaN SBD的外延片结构、肖特基电极结构以及边缘终端结构等角度,阐述了这些结构的优化对AlGaN/GaN SBD性能的影响;最后,对器件进一步的发展方向进行了展望。
[Abstract]:As a wide band gap semiconductor device, GaN based barrier diode (SBD) has many excellent characteristics, such as high voltage resistance, high temperature resistance, low on resistance and so on, which makes it widely used in power electronics and other fields. In this paper, the problems to be solved in the development of SBD are reviewed; then, the structure, working principle and structure optimization of GaN SBD are introduced. then, the research progress of AlGaN/GaN SBD structure, working principle and structure optimization is summarized, and the influence of the optimization of these structures on the performance of AlGaN/GaN SBD is expounded from the aspects of AlGaN/GaN SBD epitaxial wafer structure, Schottky electrode structure and edge terminal structure. Finally, the further development direction of the device is prospected.
【作者单位】： 北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室;
【基金】：国家高技术研究发展计划(863)(2015AA033305) 北京16教师队伍建设—青年拔尖项目(市级)(PXM2016_014204_000017_00205938_FCG)资助~~
【分类号】：TN311.7

【相似文献】

相关期刊论文 前10条

1 陈勇波;周建军;徐跃杭;国云川;徐锐敏;;GaN高电子迁移率晶体管高频噪声特性的研究[J];微波学报;2011年06期

2 张保平;蔡丽娥;张江勇;李水清;尚景智;王笃祥;林峰;林科闯;余金中;王启明;;GaN基垂直腔面发射激光器的研制[J];厦门大学学报(自然科学版);2008年05期

3 汪连山,刘祥林,岳国珍,王晓晖,汪度,陆大成,王占国;N型GaN的持续光电导[J];半导体学报;1999年05期

4 赵丽伟;滕晓云;郝秋艳;朱军山;张帷;刘彩池;;金属有机化学气相沉积生长的GaN膜中V缺陷研究[J];液晶与显示;2006年01期

5 张进城;董作典;秦雪雪;郑鹏天;刘林杰;郝跃;;GaN基异质结缓冲层漏电分析[J];物理学报;2009年03期

6 陈裕权;;欧洲通力合作发展GaN技术[J];半导体信息;2009年04期

7 张金风;郝跃;;GaN高电子迁移率晶体管的研究进展[J];电力电子技术;2008年12期

8 唐懿明;;电注入连续波蓝光GaN基垂直腔面发射激光器[J];光机电信息;2008年08期

9 Tim McDonald;;基于GaN的功率技术引发电子转换革命[J];中国集成电路;2010年06期

10 陈裕权;;日本GaN基器件研究进展[J];半导体信息;2004年02期

相关会议论文 前10条

1 陈勇波;周建军;徐跃杭;国云川;徐锐敏;;GaN高电子迁移率晶体管高频噪声特性的研究[A];2011年全国微波毫米波会议论文集（下册）[C];2011年

2 金豫浙;曾祥华;胡益佩;;γ辐照对GaN基白光和蓝光LED的光学和电学特性影响[A];二00九全国核反应会暨生物物理与核物理交叉前沿研讨会论文摘要集[C];2009年

3 魏萌;王晓亮;潘旭;李建平;刘宏新;肖红领;王翠梅;李晋闽;王占国;;高温AlGaN缓冲层的厚度对Si(111)基GaN外延层的影响[A];第十一届全国MOCVD学术会议论文集[C];2010年

4 王文军;宋有庭;袁文霞;曹永革;吴星;陈小龙;;用Li_3N和Ga生长块状GaN单晶的生长机制[A];第七届北京青年科技论文评选获奖论文集[C];2003年

5 刘福浩;许金通;王玲;王荣阳;李向阳;;GaN基雪崩光电二极管及其研究进展[A];第十届全国光电技术学术交流会论文集[C];2012年

6 王曦;孙佳胤;武爱民;陈静;王曦;;新型硅基GaN外延材料的热应力模拟[A];第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集（10）[C];2007年

7 高飞;熊贵光;;GaN基量子限制结构共振三阶极化[A];第五届全国光学前沿问题研讨会论文摘要集[C];2001年

8 凌勇;周赫田;朱星;黄贵松;党小忠;张国义;;利用近场光谱研究GaN蓝光二极管的杂质发光[A];第五届全国STM学术会议论文集[C];1998年

9 王连红;梁建;马淑芳;万正国;许并社;;GaN纳米棒的合成与表征[A];第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集（6）[C];2007年

10 陈宠芳;刘彩池;解新建;郝秋艳;;HVPE生长GaN的计算机模拟[A];第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集[C];2007年

相关重要报纸文章 前2条

1 银河证券 曹远刚;春兰股份 开发GaN 又一方大[N];中国证券报;2004年

2 ;松下电器采用SiC基板开发出新型GaN系高频晶体管[N];中国有色金属报;2003年

相关博士学位论文 前10条

1 赵景涛;GaN基电子器件势垒层应变与极化研究[D];山东大学;2015年

2 毛清华;高光效硅衬底GaN基大功率绿光LED研制[D];南昌大学;2015年

3 陈浩然;太赫兹波段GaN基共振隧穿器件的研究[D];西安电子科技大学;2015年

4 田媛;HVPE生长自支撑GaN单晶及其性质研究[D];山东大学;2016年

5 贾秀玲;用于饮用水中有害阴离子检测的GaN基HEMT传感器的研究[D];南京大学;2016年

6 龚欣;GaN异质结双极晶体管及相关基础研究[D];西安电子科技大学;2007年

7 徐波;GaN纳米管的理论研究及GaN紧束缚势模型的发展[D];中国科学技术大学;2007年

8 李亮;GaN基太赫兹器件的新结构及材料生长研究[D];西安电子科技大学;2014年

9 王虎;蓝宝石衬底上AlN薄膜和GaN、InGaN量子点的MOCVD生长研究[D];华中科技大学;2013年

10 高兴国;GaN基稀磁半导体薄膜的制备与性能研究[D];山东师范大学;2014年

相关硕士学位论文 前10条

1 徐新兵;基于GaN纳米线铁电场效应晶体管及相关电性能[D];华南理工大学;2015年

2 周金君;温度对GaN（0001）表面生长吸附小分子SrO、BaO和Ti0_2影响的理论研究[D];四川师范大学;2015年

3 艾明贵;星载GaN微波固态功率放大器的研究[D];中国科学院研究生院(空间科学与应用研究中心);2015年

4 王玉堂;Virtual Source模型模拟分析GaN基电子器件特性研究[D];山东大学;2015年

5 井晓玉;垒结构对硅衬底GaN基绿光LED性能的影响[D];南昌大学;2015年

6 徐政伟;硅衬底GaN基LED光电性能及可靠性研究[D];南昌大学;2015年

7 肖新川;GaN微波宽带功率放大器的设计与实现[D];电子科技大学;2014年

8 郭洁;Ce掺杂GaN纳米结构的制备及物性研究[D];新疆大学;2015年

9 尹成功;毫米波GaN基HEMT小信号建模和参数提取[D];电子科技大学;2014年

10 冯嘉鹏;GaN基HEMT器件的性能研究与设计优化[D];河北工业大学;2015年

，

本文编号：2506478