TiN缓冲层厚度对立方AlN薄膜显微组织结构的影响

发布时间：2019-07-08 14:48

【摘要】：为了提高亚稳立方Al N薄膜的外延质量,采用激光分子束外延法,以Ti N为缓冲层在Si(100)衬底上制备立方Al N薄膜,主要研究了Ti N缓冲层厚度对立方Al N薄膜结晶质量和表面形貌的影响。结果表明,以Ti N为缓冲层可制备出高取向度的立方Al N薄膜,当缓冲层沉积时间为30 min时,立方Al N薄膜的结晶质量最好,表面最平整。
[Abstract]:In order to improve the epitaxial quality of cubic Al N thin films, cubic Al N thin films were prepared on Si substrate with Ti N as buffer layer by laser molecular beam epitaxial method. The effect of the thickness of Ti N buffer layer on the crystallization quality and surface morphology of cubic Al N thin films was studied. The results show that cubic Al N thin films with high orientation can be prepared by using Ti N as buffer layer. When the deposition time of buffer layer is 30 min, the crystallization quality of cubic Al N thin films is the best and the surface is the smoothest.
【作者单位】： 广西生态型铝产业协同创新中心广西大学材料科学与工程学院;
【基金】：广西自然科学基金资助项目(2015GXNSFAA139265)
【分类号】：TN304.2

【参考文献】

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【共引文献】

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本文编号：2511666