65nm反相器单粒子瞬态脉宽分布的多峰值现象

发布时间：2019-07-23 10:46

【摘要】：基于65 nm工艺下单粒子瞬态脉宽检测电路,在重离子辐照下,对目标单元单粒子瞬态脉宽进行了测试。针对实验结果中单粒子瞬态脉宽分布出现多峰的现象进行了分析。详细对比了反相器多峰现象与LET值、温度、阈值电压间的关系。通过TCAD仿真分析了多峰现象的原因,即PMOS由于寄生双极效应,在高LET粒子攻击下产生的瞬态脉冲脉宽大于粒子攻击NMOS产生的瞬态脉冲脉宽。高温条件会使得寄生双极效应更加严重,因此在高温条件下脉宽分布的多峰现象更加明显。
[Abstract]:Based on the single particle transient pulse width detection circuit under 65 nm process, the single particle transient pulse width of the target unit is measured under heavy ion irradiation. The phenomenon of multiple peaks in the transient pulse width distribution of single particle is analyzed. The relationship between multipeak phenomenon and LET value, temperature and threshold voltage is compared in detail. The cause of multi-peak phenomenon is analyzed by TCAD simulation, that is, the transient pulse width of PMOS under high LET particle attack is larger than that of particle attack NMOS because of parasitic bipolar effect. At high temperature, the parasitic bipolar effect is more serious, so the multipeak phenomenon of pulse width distribution is more obvious at high temperature.
【作者单位】： 北京微电子技术研究所;哈尔滨工业大学;
【分类号】：TN40

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