基于有机薄膜晶体管电特性曲线获取迁移率方法的研究
【图文】：
图２（ａ）为在不同栅电压ＶＧ和不同漏电压ＶＤ下的ＯＴＦＴ的输出特性曲线。图２（ｂ）为在不同漏电压ＶＤ和不同栅电压ＶＧ下的有机薄膜晶体管的转移特性曲线。图３（ａ）为电特性模型（１）式的模拟曲线与输出实验曲线在线性区域（ＶＤ＜ＶＧ）的比较；图３（ｂ）为电特性模型（２）式的模拟曲线与转移实验曲线在饱和区域（ＶＤ＞ＶＧ）的比较。图３可以看出，电特性模型（１）、（２）分别与ＯＴ－图２（ａ）ＯＴＦＴ输出特性曲线；（ｂ）ＯＴＦＴ转移特性曲线Ｆｉｇ．２（ａ）ＯｕｔｐｕｔｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｃｕｒｖｅｓｏｆｔｈｅＯＴＦＴ；（ｂ）ＴｒａｎｓｆｅｒｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｃｕｒｖｅｓｏｆｔｈｅＯＴＦＴ图３（ａ）ＶＧ＝－１５Ｖ输出曲线线性区域比较图；（ｂ）ＶＤ＝－２０转移曲线饱和区比较图Ｆｉｇ．３（ａ）ＣｏｍｐａｒｉｓｏｎｄｉａｇｒａｍｏｆｏｕｔｐｕｔｃｕｒｖｅｓａｔＶＧ＝１５Ｖｉｎｔｈｅｌｉｎｅａｒｒｅｇｉｏｎ；（ｂ）ＣｏｍｐａｒｉｓｏｎｄｉａｇｒａｍｏｆｔｒａｎｓｆｅｒｃｕｒｖｅｓａｔＶＤ＝－２０ＶｉｎｔｈｅｓａｔｕｒａｔｉｏｎｒｅｇｉｏｎＦＴ线性区的输出曲线和饱和区的转移曲线吻合的非常好。故该电特性模型可以分别描述ＯＴＦＴ在线性工作状态和饱和工作状态时的电特性，进而拟合计算ＯＴＦＴ的迁移率。为了分析实验数据点的选取与拟合计算得到的场效应迁移率之间的关系，首先在ＯＴＦＴＶＧ＝１５Ｖ的输出曲线线性区域（ＶＤ＜ＶＧ＝１５Ｖ），从ＶＤ＝０
图２（ａ）为在不同栅电压ＶＧ和不同漏电压ＶＤ下的ＯＴＦＴ的输出特性曲线。图２（ｂ）为在不同漏电压ＶＤ和不同栅电压ＶＧ下的有机薄膜晶体管的转移特性曲线。图３（ａ）为电特性模型（１）式的模拟曲线与输出实验曲线在线性区域（ＶＤ＜ＶＧ）的比较；图３（ｂ）为电特性模型（２）式的模拟曲线与转移实验曲线在饱和区域（ＶＤ＞ＶＧ）的比较。图３可以看出，，电特性模型（１）、（２）分别与ＯＴ－图２（ａ）ＯＴＦＴ输出特性曲线；（ｂ）ＯＴＦＴ转移特性曲线Ｆｉｇ．２（ａ）ＯｕｔｐｕｔｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｃｕｒｖｅｓｏｆｔｈｅＯＴＦＴ；（ｂ）ＴｒａｎｓｆｅｒｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｃｕｒｖｅｓｏｆｔｈｅＯＴＦＴ图３（ａ）ＶＧ＝－１５Ｖ输出曲线线性区域比较图；（ｂ）ＶＤ＝－２０转移曲线饱和区比较图Ｆｉｇ．３（ａ）ＣｏｍｐａｒｉｓｏｎｄｉａｇｒａｍｏｆｏｕｔｐｕｔｃｕｒｖｅｓａｔＶＧ＝１５Ｖｉｎｔｈｅｌｉｎｅａｒｒｅｇｉｏｎ；（ｂ）ＣｏｍｐａｒｉｓｏｎｄｉａｇｒａｍｏｆｔｒａｎｓｆｅｒｃｕｒｖｅｓａｔＶＤ＝－２０ＶｉｎｔｈｅｓａｔｕｒａｔｉｏｎｒｅｇｉｏｎＦＴ线性区的输出曲线和饱和区的转移曲线吻合的非常好。故该电特性模型可以分别描述ＯＴＦＴ在线性工作状态和饱和工作状态时的电特性，进而拟合计算ＯＴＦＴ的迁移率。为了分析实验数据点的选取与拟合计算得到的场效应迁移率之间的关系，首先在ＯＴＦＴＶＧ＝１５Ｖ的输出曲线线性区域（ＶＤ＜ＶＧ＝１５Ｖ），从ＶＤ＝０
【作者单位】： 辽宁大学物理学院;北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室;
【基金】：国家重点研发计划(2016YFB0401302) 国家自然科学基金(11474018,61575019) 北京市科委重大项目(D161100003416001) 中央高校基本科研业务费专项(2016JBM066) 辽宁省教育厅(L2014003) 辽宁大学青年科研基金(LDQN201431)资助项目
【分类号】：TN321.5
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本文编号：2521968
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