干法刻蚀条件对Mo侧壁角度的影响
【图文】：
图１ＲＦ功率变化的刻蚀结果分析图图２为ＩＣＰ功率变化时对刻蚀结果的影响。由图可看出，ＩＣＰ功率为２０００Ｗ时，侧壁角度为图２ＩＣＰ功率变化的刻蚀结果分析图３９．４°；１０００Ｗ时，侧壁角度为３０．４°，在一定范围内，随着ＩＣＰ功率的增加，腔体活性粒子增多，物理轰击的活性粒子增加，刻蚀的各向异性增强，刻蚀角度增加，ＩＣＰ功率对刻蚀角度的调节范围较大。由图还可看出，随着ＩＣＰ增加，刻蚀速率增加。图３为腔室气压变化对刻蚀结果的影响。由图可看出，当腔室气压为６．６５０Ｐａ时，侧壁角度为４５．８°；３．３２５Ｐａ时，侧壁角度为５１．６°。随着气压的减小，腔室粒子减少，平均自由程增加，刻蚀的各向异性增加，侧壁角度增加，腔室气压对刻蚀角度调节范围较大。随着腔室气压的减小，刻蚀速率增加。图３腔室气压变化的刻蚀结果分析图图４为ＳＦ６气体流量变化对刻蚀结果的影响。由图可看出，ＳＦ６气体流量为３０ｃｍ３／ｍｉｎ时，侧壁角度为３６．０°；ＳＦ６气体流量为１０ｃｍ３／ｍｉｎ时，侧壁第２期田本朗等：干法刻蚀条件对Ｍｏ侧壁角度的影响２０１
６气体流量对刻蚀角度的调节范围较校随着ＳＦ６气体流量减小，刻蚀速率减校图５为Ａｒ气体流量对刻蚀结果的影响。由图可知，Ａｒ气体流量为３０ｃｍ３／ｍｉｎ时，侧壁角度为３８．０°；Ａｒ气体流量为１０ｃｍ３／ｍｉｎ时，侧壁角度为３０．８°。由于Ａｒ主要起到轰击作用，因此，随着Ａｒ气体流量的减小，反应刻蚀增加，刻蚀各向同性增强，图形侧壁角度随着减小，Ａｒ气体流量的变化对刻蚀角度调节范围较大。随着Ａｒ气体流量减小，刻蚀速率减校图５Ａｒ气体流量变化的刻蚀结果分析图３结束语采用电感耦合等离子体刻蚀系统，研究了工艺参数对刻蚀角度的影响。通过改变刻蚀工艺过程中的工艺参数，如ＲＦ功率、ＩＣＰ功率、腔室气压、ＳＦ６和Ａｒ气体流量，，可得刻蚀侧壁角度为３０．３°～５１．６°，得到了良好的刻蚀形貌。。参考文献：［１］刘罡，朱嘉琦，王赛，等．固贴式薄膜体声波谐振器用材料体系研究进展［Ｊ］．无机材料学报，２０１０，２５（１２）：１２３３－１２４１．ＬＩＵＧ，ＺＨＵＪＱ，ＷＡＮＧＳ，ｅｔａｌ．Ｐｒｏｇｒｅｓｓｉｎｍａｔｅｒｉ－ａｌｓｕｓｅｄｆｏｒｓｏｌｉｄｌｙｍｏｕｎｔｅｄｆｉｌｍｂｕｌｋａｃｏｕｓｔｉｃｒｅｓｏｎａ－ｔｏｒｓ［Ｊ］．ＪｏｕｒｎａｌｏｆＩｎｏｒｇａｎｉｃＭａｔｅｒｉａｌｓ，２０１０，２５（１２）：１２３３－１２４１．［２］张辉，冯梓鑫，张淑仪．多压电层对薄膜体声波传感器谐振特性的影响［Ｊ］．声学技术，２０１０，２９（６）：１６４－１６５．ＺＨＡＮＧＨ，ＦＥＮＧＺＸ
【作者单位】： 中国电子科技集团公司第二十六研究所;
【分类号】：TN305.7
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