Pt纳米粒子修饰的ZnO基紫外探测器的制备及其性能研究

发布时间：2019-09-21 09:29

【摘要】：氧化锌是一种具有立方晶体结构的直接带隙半导体材料。在室温下,通过镁元素的掺杂可制得氧锌镁合金薄膜,使得这种薄膜材料的禁带宽度在3.3 eV~7.8 eV范围内调节。由于这种半导体材料分布广泛、制备方法多以及环境友好,人们越来越关注这种材料的研究。本论文主要采用射频磁控溅射的方法来生长氧化锌薄膜和氧锌镁合金薄膜。生长后的薄膜通过光刻工艺制备出具有金属-半导体-金属结构的紫外光电探测器。主要研究了射频磁控溅射的方法生长的氧锌镁基薄膜的表面形貌和光电性能;通过表面等离子基元的修饰提升薄膜的吸收系数和探测器的响应度,并通过研讨金属纳米颗粒对双层膜结构探测器的修饰作用对局域表面等离子基元理论做进一步了解。
【图文】：

导体化合物探测器（以砷化镓为主体）到现第三代探测器的迅猛发展其技术也逐渐趋于入其中的因素功不可没。材料，金刚石、碳化硅、氮化镓基材料以及氧些材料中，碳化硅的量子效率并不高；金刚质量的掺杂并且可控却仍是一个难题；氮化长成本过高并且相关的研究还处于一个实验的优越性能被科研人员所广泛应用和研究。年代，日本 A.Ohtomo 研究团队【5】的研究中具有镁元素掺杂的氧锌镁半导体薄膜在蓝宝随着 Mg 的加入量逐渐递增，MgZnO 半导体，研究中还发现半导体薄膜的吸收截止边发波段向短波方向移动。最后令人意外的是，，g 的摩尔比为 33%，这时开始出现分相情况；立方相。如图 1.1 所示为不同组分的试样的

.2 (a)镁掺杂量为 0.34 的氧锌镁合金薄膜紫外探测器叉指电极结构图；(b)光电流I-V 特性曲线Fig 1.2 (a) Magnesium doping amount of 0.34 oxygen zinc magnesium alloydetector fork refers to the electrode structure; (b) Photoelectric current and dark cucharacteristic curve
【学位授予单位】：长春理工大学
【学位级别】：硕士
【学位授予年份】：2015
【分类号】：TN23

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本文编号：2539284