一种高精度快速响应欠压锁定电路设计

发布时间：2019-09-26 08:16

【摘要】：针对传统欠压锁定(UVLO)电路结构复杂和响应速度慢的问题,设计了一种高精度的快速响应欠压锁定电路。该电路整体均由CMOS管组成,结构简单且易于实现。采用电流模控制技术,随电源电压呈二次方曲线变化的自偏置电流控制阈值电压的产生,有效提高了电路的响应速度。该欠压锁定电路基于0.18μm BCD工艺设计,并利用HSPICE进行仿真验证,当电源电压在0 5 V区间变化时,输出电压翻转的上阈值门限为3.91 V,相应下阈值门限为3.82 V,迟滞量为90 m V,温度在-40~125℃范围变化时,阈值门限电压容差仅为0.9μV,可实现输出电压的高精度转换,电路面积仅为15μm×48μm。
【作者单位】： 西南交通大学微电子研究所;
【基金】：国家自然科学基金重点项目(61531016);国家自然科学基金面上项目(61271090);国家自然科学基金青年基金资助项目(6154110) 四川省科技支撑计划项目(2016GZ0059,2015GZ0103) 中央高校基本科研业务费资助项目(2682015CX067)
【分类号】：TN402

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本文编号：2542016