SiC肖特基二极管的物理模型参数提取

发布时间：2019-09-29 01:01

【摘要】：碳化硅(SiC)作为新型材料,在高温、高频和大功率等领域中具有很大的潜力。SiC功率半导体器件在电力电子电路中应用广泛,提取精确的物理模型参数对电力电子电路设计尤为重要。在对SiC肖特基二极管动态特性及其物理模型的分析基础上,确定了其关键的模型参数。结合Matlab和Saber仿真软件,对仿真波形和实验波形进行了对比,并以仿真波形和实验波形的相关系数及迭代次数为目标函数来改进粒子群算法,以改进粒子群优化(IPSO)算法对SiC肖特基二极管内部关键模型参数进行优化辨识。最后,针对IDW30G65C5型号的整流二极管,提取了精确的模型参数,并验证了其有效性。
【作者单位】： 西华大学电气与电子信息学院;
【基金】：四川省电力电子节能技术与装备重点实验室资助项目(SZJJ2015-064) 太阳能技术集成及应用推广四川省高校重点实验室资助项目(TYN2015-01,09)
【分类号】：TN304.24;TN311.7

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