深亚微米MOS场效应晶体管小信号及噪声建模技术研究

发布时间：2019-10-12 04:12

【摘要】：随着电路复杂度的不断提高,越来越多的工程师们选择利用计算机辅助软件完成对电路的初始设计,而软件中嵌入的器件模型精度决定了仿真电路能否准确反映真实电路的特性。本论文以深亚微米金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)模型为例,研究了MOSFET的小信号模型和噪声模型。在回顾了半导体器件与集成电路的发展历程,介绍了MOSFET模型的研究现状以及发展趋势之后,提出了MOSFET模型的建立方法。主要研究工作包括：1)采用开路短路法去除测试结构的寄生参数,建立射频MOSFET小信号等效电路模型,并提取频率范围为0-40GHz时MOSFET小信号等效电路模型内部电路的寄生参数和本征参数；2)对建立的MOSFET小信号等效电路模型进行仿真,并对不同栅指数的MOSFET器件模型进行缩放性分析；3)提出一种考虑非准静态效应的MOSFET小信号等效电路模型,并分析其仿真结果；4)在MOSFET小信号模型的基础上提出一种包含POSPIESZALSIK温度噪声模型和PUCEL噪声模型的新模型,并推导出新模型噪声参数的提取方法；5)对新模型的噪声源参数以及仿真结果展开分析,验证新模型的准确性。
【学位授予单位】：华东师范大学
【学位级别】：硕士
【学位授予年份】：2015
【分类号】：TN386

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本文编号：2547877