提高GaN功率器件开关频率的技术途径

发布时间：2019-10-28 17:56

【摘要】：GaN基增强型高速开关器件是提升X波段微系统集成放大器工作效率的核心器件。介绍了凹槽栅结构、F-注入等制作GaN基增强型器件的关键技术,同时分析了场板、介质栅等对器件击穿特性的影响。针对影响GaN基功率器件开关特性的主要因素,重点分析了提高增强型GaN基功率器件开关频率的主要技术途径。减小器件的接触电阻、沟道方块电阻可以降低器件电阻对频率的影响。小栅长器件中栅电容较低,电子的沟道渡越时间较短,也可以提高器件的频率特性。此外,由于GaN基的功率器件频率高,设计应用在GaN器件上的栅驱动电路显得尤为重要。
【作者单位】： 河北工业大学电子信息工程学院;专用集成电路重点实验室;石家庄铁道大学信息科学与技术学院;
【分类号】：TN303

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本文编号：2553151