HEMT器件的模拟研究
【图文】:
计必然是难度很大的。同时,传统的对于设计的芯片的验证去进行的,其流程如图 1-1 所示,其中器件的光刻板制备和繁琐的过程,而且所用到的实验设备都是异常昂贵的,整个人力财力的极大损耗。图 1-2 所示是通过器件模拟和工艺模程的流程图,这样将节省很大的设计成本。由此可知对与器,半导体器件的计算机模拟技术的重要作用是非常明显的。
3图 1-2 器件模拟得到电学参数过程上,半导体器件模拟的概念是肖克莱(Shockley)首先提出的在 1964 年首次对一维双极晶体管用数值方法进行了模拟,这拟从此迈向了计算机化。1969 年,D.P.Kennedy 和 R.R.O’Brie方法研究了 JFET。J.W.Slotboom 用二维数值方法对晶体管的
【学位授予单位】:电子科技大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2015
【分类号】:TN386
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本文编号:2553859
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