一种带分段曲率补偿的带隙基准电压源
发布时间:2019-11-05 09:34
【摘要】:在传统带隙基准电路的基础上,设计了一种带分段曲率补偿的带隙基准电压源。利用亚阈值区MOS管的漏电流与栅-源电压呈指数关系而产生的非线性补偿电流,分别对温度特性曲线的低温段和高温段进行补偿。该电路采用0.18μm标准CMOS工艺进行设计,仿真结果表明,输出基准电压为600mV,在-40℃~125℃温度范围内的温度系数为9.4×10~(-7)/℃。
【图文】:
VBE2=VTlnICIS-VTlnICn×IS=kTqlnn(2)式中,k为玻尔兹曼常量,T为热力学温度,q为电子电量,n为Q2管与Q1管的发射极面积之比。由(2)式可知,,双极晶体管Q2和Q1在相同电流密度下的基极-发射极电压的差值与绝对温度成正比,ΔVBE加在电阻R1两端,可以得到正温度系数电流IPTAT:IPTAT=ΔVBER1=kTqR1lnn(3)图1传统的带隙基准电压源流过晶体管MP1~MP3的电流为IPTAT和ICTAT电流之和,可近似视为一个与温度无关的电流,该电流流经电阻R4,得到基准电压VREF:VREF=(IPTAT+ICTAT)×R4=VBE1R2+kTqR1lnn()×R4=K1VBE1+K2T(4)式中,K1=R4/R2,K2=kR4×lnn/(qR1)。当
本文编号:2556102
【图文】:
VBE2=VTlnICIS-VTlnICn×IS=kTqlnn(2)式中,k为玻尔兹曼常量,T为热力学温度,q为电子电量,n为Q2管与Q1管的发射极面积之比。由(2)式可知,,双极晶体管Q2和Q1在相同电流密度下的基极-发射极电压的差值与绝对温度成正比,ΔVBE加在电阻R1两端,可以得到正温度系数电流IPTAT:IPTAT=ΔVBER1=kTqR1lnn(3)图1传统的带隙基准电压源流过晶体管MP1~MP3的电流为IPTAT和ICTAT电流之和,可近似视为一个与温度无关的电流,该电流流经电阻R4,得到基准电压VREF:VREF=(IPTAT+ICTAT)×R4=VBE1R2+kTqR1lnn()×R4=K1VBE1+K2T(4)式中,K1=R4/R2,K2=kR4×lnn/(qR1)。当
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