大功率高效率2μm锑化镓基量子阱激光器（英文）
【图文】：
esputtered500/500/10000姒Ti/Pt/Auasthecontactelectrodeafterthat．Backsideprocessingstartedwithsubstratemechanicalthinningandmechano-chemicalpolishingfollowedbythedepositionofn-contactmetallizationandannealing．Thewaferwasprocessedinto1-cm-widebarshavinga20%fill-factor．Onebarwaschippedintosinglelasere-mitters．Singledevicesweremountedjunctionsidedownusingindiumsolderoncopperheatsinks(C-mount)．Fig．1EpitaxialstructurewithasingleQW，highAlcomponentsandnon-dopedwaveguidelayer图1单量子阱，高铝组分以及非掺杂波导层的外延结构2LaserperformancesFigure2showstheCWI-V-Pcharacteristicsofasinglelaserdiodewithoutfacetscoated．ForasingleLD(singleemitter)device，themaximumoutputpowerun-derCWoperationis1．058Wunderworkingtemperatureof20℃withaslopeefficiency311．96mW/A．Themaximumwallplugefficiency(WPE)is20．9%at0．7Ainjectedcurrent．WPEdecreasesasweincreasetheinjectioncurrent，whichmeanstheproportionoflightpowerdecreasesandthethermalincreases．TheWPEisstillmorethan7%atthemaximumlightpower．Thepeakwavelengthis1977．7nmwheninjectioncurrentis0．5A，asindicatedinFig．3．Fig．2TheCWI-V-PandI-WPEcurveofasingleemitter图2单管连续激射时的电流—电压—功率图以及电流—能量效率关系曲线Thethresholdcurrentdensitywasdecreasedremark-ablyfrom150A/cm2ofＲef．［11］and143A/cm2ofＲef．［12］to88A/cm2．AlargeAlcomponentdiffer-encebetweenwaveguidelayerandconfinementlayerformsalargeindexdifferenceandbandageoffset，，
eemitter)device，themaximumoutputpowerun-derCWoperationis1．058Wunderworkingtemperatureof20℃withaslopeefficiency311．96mW/A．Themaximumwallplugefficiency(WPE)is20．9%at0．7Ainjectedcurrent．WPEdecreasesasweincreasetheinjectioncurrent，whichmeanstheproportionoflightpowerdecreasesandthethermalincreases．TheWPEisstillmorethan7%atthemaximumlightpower．Thepeakwavelengthis1977．7nmwheninjectioncurrentis0．5A，asindicatedinFig．3．Fig．2TheCWI-V-PandI-WPEcurveofasingleemitter图2单管连续激射时的电流—电压—功率图以及电流—能量效率关系曲线Thethresholdcurrentdensitywasdecreasedremark-ablyfrom150A/cm2ofＲef．［11］and143A/cm2ofＲef．［12］to88A/cm2．AlargeAlcomponentdiffer-encebetweenwaveguidelayerandconfinementlayerformsalargeindexdifferenceandbandageoffset，whichprovideastrongopticalandcarrierconfinement，anditishelpfultoobtainalowthresholdcurrentandlargeslopeefficiency．Thequantumwellnumberofone，insteadoftwo，isalsocontributedtothisresult．TheincreasingofAlcomponentfrom0．3to0．35inthewaveguidelayer673
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