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基于溶液化方法制备有机场效应晶体管的研究

发布时间:2019-11-28 19:53
【摘要】:在过去近三十年来,有机场效应晶体管(OFETs)由于在大面积、低成本和柔性化有机电子产品方面的潜在应用前景而受到学术界和工业界的极大关注,成为有机电子学中的研究前沿领域之一。研究OFETs不仅为了解有机电子学的一些基本问题提供了良好的基础,而且展现了它的许多潜在应用,例如在光探测、信号存储器、激光辐射和环境监测,这些在现代社会都是非常重要的。本文简单叙述了OFETs研究意义和发展状况,并着重叙述了的材料、制备方法、参数以及提升溶液化制备OFETs器件性能的途径。针对目前尽管OFETs的性能初步满足实用化要求,但低成本溶液法加工技术亟待开发的问题,本文主要研究了用溶液化方法制备有机场效应晶体管。采用聚合物材料P3HT作为有源层,聚合物材料PMMA和PVA作为绝缘层,利用旋涂的方法制备了OFETs,分析了不同制备条件对器件性能的影响。具体研究内容如下:(1)基于P3HT不同旋涂转速下OFETs性能的研究制备了以P3HT为有源层,PMMA为绝缘层的顶栅底接触结构的OFETs器件,研究了P3HT的旋涂速度对器件性能的影响。通过对比不同旋涂速度P3HT的器件的性能,得到当P3HT的旋涂速度为2000rpm的时候,器件性能得到提升。结果表明,有源层的转速是影响OFETs器件性能的重要因素。(2)基于PMMA不同旋涂转速下OFETs性能的研究研究了在P3HT的旋涂速度为2000rpm时,PMMA的旋涂速度对器件性能的影响。通过对比不同速度旋涂PMMA的器件的性能,得到当PMMA的旋涂速度为2000rpm的时候,器件性能得到提升。结果表明,绝缘层的转速是影响OFETs器件性能另一个重要因素。(3)基于PVA/PMMA双绝缘层P3HT-OFETs性能的研究制备了以PVA/PMMA为双修饰层、P3HT为有源层的双绝缘层OFETs。与单绝缘层结构的器件性能相比,结果表明双绝缘层的器件具有更高的迁移率,这为溶液化制备OFETs提供了一定借鉴和参考。
【图文】:

气体传感器,压力传感器,结构示意图,传感器


图 1.1 传感器的结构示意图(a)气体传感器,(b)液体传感器,,(c)压力传感器Figure 1.1 . Device structures of (a) gas sensor, (b) liquid sensor, (c) pressure sensor.1.3.2 在集成电路领域的应用

柔性,低成本,标签


图 1.2 低成本的柔性射频标签Fig.1.2 Low-cost radio frequency identification devices(RFID)
【学位授予单位】:天津理工大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2015
【分类号】:TN386

【共引文献】

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本文编号:2567137

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