高功率半导体激光器腔面镀膜对功率影响分析
【图文】:
的反射率和透射率,得到镀膜后激光器的功率,通过比较镀膜前后半导体激光器功率变化,完成高功率半导体激光器腔面镀膜对功率的影响分析,具体内容如1.1节和1.2节所示。1.1腔面未镀膜半导体激光器的功率计算在高功率半导体激光器系统中,为保证半导体激光器的稳定性,降低电磁波振幅,降低激光器功率,需要对激光形成过程中粒子转化过程进行优化。半导体激光器中粒子数分布呈波尔兹曼分布形式,根据半导体激光器的激发方式,把低能级原子激发到高能级,该过程可以看作为水泵把水由低处送到高出的过程,被称为泵浦(如图1a)。不稳定的高能级原子会下降到亚稳态能级,造成亚稳态能级与基态间的粒子数反转(如图1b)。亚稳态能级上的原子跃迁到基态,自发辐射出各个方向的光子(如图1c)。谐振腔从这些光子中选择出沿腔轴线方向传播的光子,并将该光子反馈回来,对亚稳态能级上的原子进行刺激,造成受激辐射(如图1d),产生成倍增强的光子。(a)泵浦(b)粒子数反转(c)自发辐射(d)受激辐射图1激光形成过程根据激光形成过程及薄膜理论[17],当半导体激光器腔面未镀膜时,激光器光线从折射率为n0的介质垂直射入折射率为ns的另一介质时,未镀膜腔面的能量反射率R和能量透射率T分别可以表示为:R=(n0-ns)2(n0+ns)2(1)T=1-R=1-(n0-ns)2(n0+ns)2(2)能量的反射率和透射率作为影响半导体激光器的重要指标,其与半导体激光器输出功率的关系可以表示为:W=R/T·lgL(3)上式中,L表示半导体激光器中电磁波传输距离,通过上述论述,实现对高功率半导体激光器工作原理及过程的描述,并对没有镀膜的半导体激光器腔面能量反射率和透射率进行计算,根据计算得到的反射率
的反射率和透射率,得到镀膜后激光器的功率,通过比较镀膜前后半导体激光器功率变化,完成高功率半导体激光器腔面镀膜对功率的影响分析,具体内容如1.1节和1.2节所示。1.1腔面未镀膜半导体激光器的功率计算在高功率半导体激光器系统中,为保证半导体激光器的稳定性,降低电磁波振幅,降低激光器功率,需要对激光形成过程中粒子转化过程进行优化。半导体激光器中粒子数分布呈波尔兹曼分布形式,根据半导体激光器的激发方式,把低能级原子激发到高能级,该过程可以看作为水泵把水由低处送到高出的过程,被称为泵浦(如图1a)。不稳定的高能级原子会下降到亚稳态能级,造成亚稳态能级与基态间的粒子数反转(如图1b)。亚稳态能级上的原子跃迁到基态,自发辐射出各个方向的光子(如图1c)。谐振腔从这些光子中选择出沿腔轴线方向传播的光子,并将该光子反馈回来,对亚稳态能级上的原子进行刺激,造成受激辐射(如图1d),产生成倍增强的光子。(a)泵浦(b)粒子数反转(c)自发辐射(d)受激辐射图1激光形成过程根据激光形成过程及薄膜理论[17],当半导体激光器腔面未镀膜时,激光器光线从折射率为n0的介质垂直射入折射率为ns的另一介质时,未镀膜腔面的能量反射率R和能量透射率T分别可以表示为:R=(n0-ns)2(n0+ns)2(1)T=1-R=1-(n0-ns)2(n0+ns)2(2)能量的反射率和透射率作为影响半导体激光器的重要指标,其与半导体激光器输出功率的关系可以表示为:W=R/T·lgL(3)上式中,L表示半导体激光器中电磁波传输距离,通过上述论述,实现对高功率半导体激光器工作原理及过程的描述,,并对没有镀膜的半导体激光器腔面能量反射率和透射率进行计算,根据计算得到的反射率
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