有机小分子场效应器件的界面特性研究

发布时间：2020-01-18 20:31

【摘要】：有机场效应晶体管(OFETs)是近年来引起学术界广泛关注。与无机场效应晶体管相比,有机场效应晶体管有着一系列的优点:集成度提高、操作功率减小、运算速度加快、能够进行低温加工、易于大面积生产等。目前,有机场效应晶体管的性能已经取得很大的提高,但对于其理论和材料结构方面依然有很多问题需要进一步探讨。本文主要从无机/有机界面的电学特性出发,研究了有机场效应晶体管的界面传输和电极材料选择问题,主要包括:1、研究了电极分别为Au、Cu Ox、Au-Cu Ox的三种有机场效应晶体管,并计算他们的迁移率,实验数据表明Au-Cu Ox电极接触型器件性能最好。当电极为Cu Ox时能有效地降低载流子的注入势垒,诱导空穴注入并五苯中,有利于空穴的传输。而在Cu Ox封装一层Au的Au-Cu Ox电极,其迁移率进一步提高,接触电阻也进一步减小。2、用开尔文探针力显微镜扫描了结构分别为Au/Cu Pc/Si O2/n++Si和Au/Cu Pc/ATO/n++Si的两种器件,并对它们进行分析。实验结果表明Au/Cu Pc/ATO/n++Si型器件性能优于Au/Cu Pc/Si O2/n++Si型器件。其原因在于high-k ATO薄膜引起Cu Pc薄膜带隙缺陷态密度大幅度下降至7×1017cm-3,同时提高了Cu Pc的结晶度。
【图文】：

暨南大学硕士学位论文5图1-1 并五苯分子结构和OFET传感器的结构图[43]1.2.3 OFET 的结构OFETs器件的结构一般包括4部分，，分别为栅极、绝缘层、有机半导体层、源/漏电极(Source/Drain，S/D)。根据有机半导体层和源漏电极之间的位置关系又可以将OFETs分为底接触(bottom-contact devices)和顶接触(top-contact devices)两种结构。图1-2 (a)顶接触式(b)底接触式有机场效应晶体管

可以将OFETs分为底接触(bottom-contact devices)和顶接触(top-contact devices)两种结构。图1-2 (a)顶接触式(b)底接触式有机场效应晶体管
【学位授予单位】：暨南大学
【学位级别】：硕士
【学位授予年份】：2015
【分类号】：TN386

【参考文献】

相关期刊论文 前5条

1 沈健;包生祥;王志红;;开尔文力显微镜检测ZnO薄膜的接触电势差[J];电子测量与仪器学报;2006年06期

2 周强;谢中;王祝盈;陈小林;王岩国;;铜铅合金的扫描开尔文探针显微镜研究[J];电子显微学报;2006年04期

3 周桂江,叶成;有机/聚合物场效应管[J];化学通报;2002年04期

4 陈淑芬;戴春雷;牟鑫;袁顺东;翁洁娜;凌启淡;黄维;;有机场效应晶体管的研究与应用进展[J];南京邮电大学学报(自然科学版);2011年03期

5 黄天天;付雁;张金利;李椺;;蛋白功能化磁性纳米颗粒的制备及应用[J];化学进展;2012年08期

相关硕士学位论文 前2条

1 张辉;有机场效应晶体管（OFETs）器件的制备及特性研究[D];南京邮电大学;2013年

2 吴沛;有机场效应管的制作及特性研究[D];东南大学;2005年

本文编号：2570982