感应耦合等离子体干法刻蚀中光刻胶异常变性的改善

发布时间：2020-02-13 17:10

【摘要】：通过不同感应耦合等离子体刻蚀条件下进行的玻璃基板发生光刻胶变性的位置,研究光刻胶变性与下部电极结构的相关性。研究结果表明:下部电极的Dam区对玻璃基板的冷却效果较差,导致该区域的玻璃基板上光刻胶容易产生变性。经过对下部电极Dam区的改造可以有效增大玻璃基板的冷却范围,改善光刻胶变性残留问题。

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本文编号：2579203