基于IGBT的低频噪声检测系统
【图文】:
T 器件的晶圆级低频噪声检测以及集 DC、C-V 和 G-D 低度检测系统[30-33];2014 年,由 RafaelPuyol 等人设计的用集成电路,虽然能够提供更高的测量精度,但由于其专用导体器件的低频噪声测量[34];在 2017 年 ICNF 会议上由 M薄膜晶体管低频噪声检测的系统整体框图如图 1-2 所示[12件、电池组、低噪声电压/电流放大器 SR560/570 以及动、示波器等商用仪器设备构成。GDSSR560/570 动态信号分析仪数字电压表示波器电脑DUT图 1-2 低频噪声测量系统框图电源测量单元(SMU)偏置,,三轴屏蔽电缆
技术通常无法用于低频噪声测量,因为在该系水平 1/f 噪声[13]。因此,高容量电池通常联电阻的方式提供电流偏置,在电池不提压或电流源。压或电流会随着使用时间而下降,而下降复测量的过程中电池为待测器件所提供的组提供的电压值只能是离散的单个电池电电阻分压的方式,但在这种情况下,为了够大的电流,这将使得电池放电问题变得低的电流时,会表现为极低噪声、高稳定源如图 2-15 所示。其中的高阻值电阻 R 与;电容 C 用于滤除电阻产生的热噪声。
【学位授予单位】:长春理工大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2019
【分类号】:TN322.8;TB535.3
【参考文献】
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本文编号:2596500
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