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二维材料的CVD生长及器件制备研究

发布时间:2020-04-01 05:51
【摘要】:自从石墨烯发现以来,各种衍生的二维(2D)材料进入人们的视线。包括六方氮化硼(h-BN)、黑磷、二硫化钼(MoS_2)、二硫化钨(WS_2)等。这些二维材料在太阳能电池、发光二极管、光电探测、储能器件等领域有着广泛的研究与应用。二硫化钼、二硫化钨由于其原子级的厚度、宽带隙、稳定性高等优点被认为有望成为下一代电子材料。化学气相沉积(CVD)法是制备大面积均匀二硫化钼、二硫化钨的有效方法。本论文从铜箔上的石墨烯以及蓝宝石衬底上的二硫化钼、二硫化钨的CVD制备,到氮化镓衬底上二硫化钼的CVD制备,和二硫化钼的高效无褶皱转移以及器件制备等部分进行研究。主要内容包括:1.采用低压化学气相沉积法(LPCVD)在铜箔上生长石墨烯,在蓝宝石衬底上生长MoS_2与WS_2。2.采用低压化学气相沉积法在氮化镓衬底上生长出连续的二硫化钼薄膜。发现二硫化钼薄膜的厚度随着衬底到氧化钼距离的增加而降低。并通过优化氮化镓衬底的倾斜度,提高二硫化钼的均匀性;通过调整衬底的高度,控制二硫化钼的层数。3.采用CVD制备的二硫化钼制备大面积器件中关键的一步是将二硫化钼转移到新的衬底上。液体辅助转移是最常用的转移方法。但在转移过程中经常出现褶皱、裂纹等现象,这严重阻碍着大面积器件的制备。通过调控转移过程中的铺展系数S,有效地减小了转移过程中对二硫化钼薄膜的损伤,得到大面积无褶皱的二硫化钼薄膜。4.采用光刻、电子束蒸发等工艺,在CVD生长的1×1 cm面积的单层MoS_2上制备出约500个背栅场效应晶体管。这些晶体管表现出较高的迁移率(最高118 cm~2V~(-1)s~(-1))和较大的开关比(10~8)。
【图文】:

氧硫化物,核点,衬底,原料


衬底表面发生多相反应;应产物在衬底表面沉积;产物被排出衬底表面。个过程中,分析决定反应速率的主要因素很重要。反应最慢的步骤决应过程中的反应速率[34]。表面化学反应在高温时可能较快,此时决定向于反应物和副产物的输运速率决定整个反应速率。在这种情况下流的边界层因素控制着沉积速率。在低温时表面化学反应速率较低,反于受表面反应控制。化学气相沉积法沉积薄膜不受实现限制有很强能力,可以在凹槽、孔洞中沉积。而且很容易实现多种元素和化合物但是在 CVD 过程中通常会产生有毒副产物并且反应温度较高使其不温时不稳定的衬底上沉积[35]。 氧化钼与硫为源制备二硫化钼的反应机理.1 化学反应过程CVD 生长 MoS2的原料以及衬底配置方式如图 1.2 所示。

流程图,化学气相沉积法,生长过程,流程图


第 1 章 引言 3= 3exp(1 3) (1.16)2MoO3+7S→2MoS2+3SO2(1.17)生长过程中,存在着薄膜生长和晶核生长之间竞争。当 k>R(OoS2表现为二维生长。当 k<R(O)时,晶核因为分子迁移而长大制形核和生长速率,调控 MoS2的形貌,,从而得到大尺寸单膜以及多层 MoS2。
【学位授予单位】:南昌大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2019
【分类号】:TB34;TN386

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本文编号:2610061

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