二维材料的CVD生长及器件制备研究
【图文】:
衬底表面发生多相反应;应产物在衬底表面沉积;产物被排出衬底表面。个过程中,分析决定反应速率的主要因素很重要。反应最慢的步骤决应过程中的反应速率[34]。表面化学反应在高温时可能较快,此时决定向于反应物和副产物的输运速率决定整个反应速率。在这种情况下流的边界层因素控制着沉积速率。在低温时表面化学反应速率较低,反于受表面反应控制。化学气相沉积法沉积薄膜不受实现限制有很强能力,可以在凹槽、孔洞中沉积。而且很容易实现多种元素和化合物但是在 CVD 过程中通常会产生有毒副产物并且反应温度较高使其不温时不稳定的衬底上沉积[35]。 氧化钼与硫为源制备二硫化钼的反应机理.1 化学反应过程CVD 生长 MoS2的原料以及衬底配置方式如图 1.2 所示。
第 1 章 引言 3= 3exp(1 3) (1.16)2MoO3+7S→2MoS2+3SO2(1.17)生长过程中,存在着薄膜生长和晶核生长之间竞争。当 k>R(OoS2表现为二维生长。当 k<R(O)时,晶核因为分子迁移而长大制形核和生长速率,调控 MoS2的形貌,,从而得到大尺寸单膜以及多层 MoS2。
【学位授予单位】:南昌大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2019
【分类号】:TB34;TN386
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本文编号:2610061
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