电流阻挡层大功率LED设计制备及特性研究
【图文】:
图 1-1 LED 及其他光源发光效率的发展进程1 luminous efficiency Development of LED and other light source本原理能直接转换为光能的电致发光器件,其物理本质是 P物半导体材料如 GaAs,GaN,GaP 等制备而成。其发N 结处于平衡时势垒高度是一定的,施加正向电压后电场相应减弱,载流子的扩散能力增强,PN 结内处迁,发生电子空穴的辐射复合并发射出光子。系统处要前提,通过激发使非平衡载流子复合才能发光[20]。
通常由Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料如 GaAs,GaN,GaP 等制备而成。其发光机理如图1-2 所示,,当 PN 结处于平衡时势垒高度是一定的,施加正向电压后 PN 结内部势垒降低,内建电场相应减弱,载流子的扩散能力增强,PN 结内处于激发态的电子向低能级跃迁,发生电子空穴的辐射复合并发射出光子。系统处于非平衡态是光子发射的主要前提,通过激发使非平衡载流子复合才能发光[20]。(a) (b)图 1-2 (a)平衡 PN 结能带图 (b)正向偏置下 PN 结能带图[20]Fig1-2 (a) Balanced PN junction band diagram (b) PN junction band diagram underforward bias[20]由同一材料制备而成的发光二极管只能发射单色光,如用 GaAs 材料制备红光 LED,GaN 材料制备蓝光 LED 等。并且 LED 发光波长 λ 由有源区的禁带宽度 Eg 决定[21],由公式(1-1)可得出:1240qhcEg Eg (1-1)1.3 提高 LED 光提取效率的研究与现状LED 芯片的内量子效率和光提取效率决定了芯片的外量子效率
【学位授予单位】:北京工业大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2019
【分类号】:TN312.8
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本文编号:2611098
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