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电流阻挡层大功率LED设计制备及特性研究

发布时间:2020-04-01 23:23
【摘要】:被称为第四代照明光源的半导体发光二极管(Light Emitting Diodes,LED),具有节能环保、使用寿命长,发光效率高等特点,是电光源发展史上的一次重大突破。LED芯片作为LED光源的核心,芯片的质量好坏决定了光源的性能、应用和寿命,因此在广泛使用第三代宽禁带半导体材料,且内量子效率达到高水平的情况下,如何提升光提取效率是推进LED芯片技术发展的关键一步。本文主要进行了电流阻挡层(Current Blocking Layer,CBL)提升大功率LED光提取效率的原理及制备工艺的研究,设计制备了CBL大功率LED器件,对有无CBL结构的LED进行光电热特性测试及可靠性分析。本论文是在国家重点研发计划(课题编号2017YFB0403100,2017YFB0403102)的支持下完成的,主要研究内容如下:(1)设计了CBL大功率LED器件和制备版图,对制备器件的关键工艺进行了优化,研究了使用不同掩膜材料对ICP刻蚀的影响,实验优化了ITO溅射和退火条件,对比了ITO的腐蚀和剥离工艺。通过优化后的工艺条件制备了有无CBL结构的两种大功率LED芯片,并在350mA下测试裸芯的光电性能。(2)封装有无CBL结构的大功率LED,并测试变电流的光电特性。两种样品各随机选取4支,首先对器件进行了温度25℃,工作电流350mA下的光电参数测试。其次对两种器件进行了变电流光电参数测试,分析了CBL结构在变电流条件下对器件光功率及光效的改善效果,以及CBL结构对器件光谱和显色性能的影响,分析了插入CBL结构对器件电压的影响。(3)对两种样品进行变温度的光电参数测试及热特性测试。分析了两种器件的光功率随温度的变化,并对两种样品的色温随温度的变化进行分析,研究了有CBL结构的LED色温更低的原因;分析了两种LED的半宽和峰值波长的变化,对器件正向电压随温度的变化进行分析。最后对两种器件进行了结温热阻测试,研究了CBL结构对器件热特性的影响。(4)对两种器件进行温度过应力加速老化实验。选取两种样品各5支,设定温度应力为85℃,驱动电流为350mA。分析了两种器件的光电参数随老化时间的变化,结合器件外貌和显微镜下的芯片形貌分析了LED芯片的失效机理。
【图文】:

发光效率,进程,光源,非平衡载流子


图 1-1 LED 及其他光源发光效率的发展进程1 luminous efficiency Development of LED and other light source本原理能直接转换为光能的电致发光器件,其物理本质是 P物半导体材料如 GaAs,GaN,GaP 等制备而成。其发N 结处于平衡时势垒高度是一定的,施加正向电压后电场相应减弱,载流子的扩散能力增强,PN 结内处迁,发生电子空穴的辐射复合并发射出光子。系统处要前提,通过激发使非平衡载流子复合才能发光[20]。

能带图,PN结,正向偏置,材料制备


通常由Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料如 GaAs,GaN,GaP 等制备而成。其发光机理如图1-2 所示,,当 PN 结处于平衡时势垒高度是一定的,施加正向电压后 PN 结内部势垒降低,内建电场相应减弱,载流子的扩散能力增强,PN 结内处于激发态的电子向低能级跃迁,发生电子空穴的辐射复合并发射出光子。系统处于非平衡态是光子发射的主要前提,通过激发使非平衡载流子复合才能发光[20]。(a) (b)图 1-2 (a)平衡 PN 结能带图 (b)正向偏置下 PN 结能带图[20]Fig1-2 (a) Balanced PN junction band diagram (b) PN junction band diagram underforward bias[20]由同一材料制备而成的发光二极管只能发射单色光,如用 GaAs 材料制备红光 LED,GaN 材料制备蓝光 LED 等。并且 LED 发光波长 λ 由有源区的禁带宽度 Eg 决定[21],由公式(1-1)可得出:1240qhcEg Eg (1-1)1.3 提高 LED 光提取效率的研究与现状LED 芯片的内量子效率和光提取效率决定了芯片的外量子效率
【学位授予单位】:北京工业大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2019
【分类号】:TN312.8

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本文编号:2611098

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