L、S波段射频收发机前端集成电路的研究与设计
【图文】:
电大学硕士研究生学位论文 第三章 L、S 波段射频接收机前端电路的研究 电容交叉耦合型 LNA 的仿真CCC-LNA 的电路设计基于 0.18μmRFCMOS 工艺库以及标准 PVT 环境(温度 27压 1.8V、tt 工艺角)。本节对 LNA 的 S 参数、噪声系数和线性度进行了仿真。由图 3.6(a)可知,在 1.3GHz 到 2.3GHz 的频带范围内,S11小于-11dB。而为了匹配到 50 欧姆的下混频器,LNA 的输出端加了源跟随器结构的输出缓冲,仿真望频带内,S22小于-11dB。因此,LNA 具有良好的输入输出匹配特性。功率增益很高的平坦度,最高为 20dB;S12为反向隔离度,小于-53dB,说明 LNA 具有较离度。由图 3.6(b)可以看出,NF 在期望频带内小于 2.9dB,且在 1.6GHz 处,L最小的 NF 2.67dB。
S22小于-11dB。因此,LNA 具有良好的输入输出匹配特性。功率增益很高的平坦度,最高为 20dB;S12为反向隔离度,小于-53dB,说明 LNA 具有较好离度。由图 3.6(b)可以看出,NF 在期望频带内小于 2.9dB,且在 1.6GHz 处,LN最小的 NF 2.67dB。(a) (b)图 3. 6 CCC-LNA 的 S 参数和 NF 的前仿真:(a)S 参数,(b)NF图 3.7 给出了 LNA 的 IP1dB和 IIP3 的前仿真结果,其中 IP1dB为-22dBm,IIP3 为-11d
【学位授予单位】:南京邮电大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2019
【分类号】:TN830;TN850;TN773
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,本文编号:2612200
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