双芯GCT驱动器逻辑电路的设计
【图文】:
GCTB(a)双芯 GCT 结构 (b)双芯 GCT 等效电路图1-1 双芯GCT概念Fig.1-1 Dual-GCT Concept1.1 研究背景及意义GCT 通常作为功能单元连同其门极驱动器(称为 IGCT)一起作为一个模块使用,这有利于提高可靠性,降低损耗,但针对不同的应用场合,用户需要在不同系列的 IGCT 产品中选择,以降低成本。例如在 AC/DC 断路器(SSB)中需选用低导通损耗的产品,在中高压变频器(MVD)中需选用低开关损耗的产品,在牵引和电源管理中需选用开关损耗和导通损耗都相对较低的产品。鉴于此,为最大化特定应用的器件性能,必须仔细调整导通损耗与
西安理工大学硕士学位论文前有学者提出将导通电流和开关电流分开处理,使用两,在文献[10]中,选择绝缘栅双极晶体管(IGBT)来传,这种方案汲取了并联器件各自的优点,充分利用了 IG关损耗,避免了 IGBT 拖尾电流引起的关断损耗和 MO一种方案是使用类型相同,,特性优化不同的设备,模块型器件(如 GCT)因为其压接外壳和单芯片的实现形GCT 概念的提出,为解决这一问题提供了思路,在不改化了导通损耗的 GCT-A 与优化了开关损耗的 GCT-B 集能。图 1-2 显示了 ABB 公司三种产品化的非对称型 [12],其电压电流等级都为 4kA/4.5kV。12 系列代表导通0 系列代表总体损耗较低的 IGCT 单元,11 系列代表开T 相比,在通态压降相同的条件下,双芯 GCT 的总体损。
【学位授予单位】:西安理工大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2019
【分类号】:TN402
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