基于光泵浦自旋垂直腔面发射激光器输出的偏振转换及双稳特性研究
【图文】:
图 1.1 自旋 LEDs 的基本结构 (a)法拉第结构,(b)准 Voigt 结构,,(c)斜汉勒效应结构[23]第结构实现了从n型CdCr2Se4材料注入自旋电子到AlGaAs/GaAs 量子阱LED[19]众所周知,稀磁半导体自旋准直区的根本缺陷之一是他们的居里温度很低,这极大的限制了自旋 LED 的最高工作温度。同时,与 GaAs 晶格匹配的铁磁半导体材料很难在室温条件下工作,这又大大的推动了在 GaAs 上生长铁磁薄膜并应用于LED 的研究。2001 年,Zhu 等首次报道了基于铁磁金属自旋准直的自旋 LED,他们利用 InGaAs 量子阱自旋 LED 在 300 K 温度下获得了 2%的自旋注入效率,从而
西南大学硕士学位论文 第 1 章 绪论CoFe/MnO 隧道注入器注入自旋电子到 GaAs/AlGaAs 量子阱自旋 LED,在 290 K温度下获得了 32%的自旋注入效率[22]。相比于自旋 LED,自旋激光器具有更快的调制动力学、更低的阈值工作电流及更强的偏振控制能力。自旋激光器具有的较强的偏振输出可控性为其在宽带光通信、量子编码、可重构的光互联等方面的应用提供了可能。需要指出的是,自旋垂直腔面发射激光器(Spin Vertical-cavity Surface-emitting Lasers, 自旋 VCSELs)不仅符合自旋电子学对法拉第结构的要求,且其侧向各向同性、具有近乎完美的圆对称结构,从而使得自旋 VCSELs 成为了自旋激光器的首选。2005 年,美国密歇根大学的 Holub 等首次成功制备了如图 1.2 所示的电泵浦自旋 VCSEL[15]。尽管自旋 VCSELs 的研发取得了突破性进展,然而,与普通激光器相比,自旋 VCSELs的设计与制备仍然存在许多问题,自旋 VCSELs 的真正商用化还面临许多关键技术问题亟需解决。有关电泵浦和光泵浦自旋激光器在第二章有详细介绍。
【学位授予单位】:西南大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2018
【分类号】:TN248
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本文编号:2623487
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