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基于光泵浦自旋垂直腔面发射激光器输出的偏振转换及双稳特性研究

发布时间:2020-04-11 10:32
【摘要】:半导体激光器输出的偏振特性主要由其有源区的增益介质和光学腔的偏振特性决定,因而侧面发光的边发射半导体激光器(EELs)和表面发光的垂直腔面发射激光器(Vertical-cavity Surface-emitting Lasers,VCSELs)的偏振特性有着本质的区别。VCSEL是准对称的器件,几乎对偏振无选择性,因而只能通过适当的优化机制来选择其输出的偏振态。基于电子自旋和光学偏振之间的相互联系,通过控制电子的自旋可实现对激光器输出偏振态的控制。与常规的VCSEL相比,自旋垂直腔面发射激光器(自旋VCSELs)具有偏振稳定性、偏振易于控制和低阈值等优点,因而自旋VCSEL的偏振特性成为了人们关注的热点问题。考虑到光泵浦方式可使激光器获得极化的载流子,进而实现对激光器偏振特性的控制。因此,研究光泵浦下自旋VCSEL,尤其是长波长自旋VCSEL的偏振转换(Polarization switching,PS)和偏振双稳(Polarization bistability,PB)特性具有重要的学术和应用价值。在本文中,基于自旋反转模型(Spin Flip Model,SFM),数值研究分析了光泵浦下1300 nm自旋垂直腔面发射激光器(自旋VCSEL)输出的圆偏振转换(PS)及双稳(PB)特性。研究结果表明:对于一定的泵浦偏振椭圆率P_P,泵浦光功率能在一定程度上控制激光器输出的偏振椭圆率P_(out),其绝对值随泵浦光功率的增加而逐渐增大;对于一定的归一化泵浦光功率η,正向扫描(逐渐增加)和反向扫描(逐渐减小)泵浦光偏振椭圆率P_P时,自旋VCSEL输出的左旋圆偏振光和右旋圆偏振光之间会发生PS,并可观察到PB现象。对于较小的η,双稳环宽度随η的增加先增加到一个最大值然后减小到0;对于较大的η,双稳环宽度随η的增加总体上呈现出逐渐减小的趋势。激光器的线宽增强因子α和有源区介质的双折射效应γ_p等内部参数对其圆偏振输出由泵浦光偏振椭圆率P_P变化引起的PS和PB均有较大的影响。此外,双稳环宽度在某些激光器关键内部参数和η构成的参数空间中的分布图也被确定。
【图文】:

自旋,法拉第,基本结构,效应


图 1.1 自旋 LEDs 的基本结构 (a)法拉第结构,(b)准 Voigt 结构,,(c)斜汉勒效应结构[23]第结构实现了从n型CdCr2Se4材料注入自旋电子到AlGaAs/GaAs 量子阱LED[19]众所周知,稀磁半导体自旋准直区的根本缺陷之一是他们的居里温度很低,这极大的限制了自旋 LED 的最高工作温度。同时,与 GaAs 晶格匹配的铁磁半导体材料很难在室温条件下工作,这又大大的推动了在 GaAs 上生长铁磁薄膜并应用于LED 的研究。2001 年,Zhu 等首次报道了基于铁磁金属自旋准直的自旋 LED,他们利用 InGaAs 量子阱自旋 LED 在 300 K 温度下获得了 2%的自旋注入效率,从而

电泵浦,自旋,器件


西南大学硕士学位论文 第 1 章 绪论CoFe/MnO 隧道注入器注入自旋电子到 GaAs/AlGaAs 量子阱自旋 LED,在 290 K温度下获得了 32%的自旋注入效率[22]。相比于自旋 LED,自旋激光器具有更快的调制动力学、更低的阈值工作电流及更强的偏振控制能力。自旋激光器具有的较强的偏振输出可控性为其在宽带光通信、量子编码、可重构的光互联等方面的应用提供了可能。需要指出的是,自旋垂直腔面发射激光器(Spin Vertical-cavity Surface-emitting Lasers, 自旋 VCSELs)不仅符合自旋电子学对法拉第结构的要求,且其侧向各向同性、具有近乎完美的圆对称结构,从而使得自旋 VCSELs 成为了自旋激光器的首选。2005 年,美国密歇根大学的 Holub 等首次成功制备了如图 1.2 所示的电泵浦自旋 VCSEL[15]。尽管自旋 VCSELs 的研发取得了突破性进展,然而,与普通激光器相比,自旋 VCSELs的设计与制备仍然存在许多问题,自旋 VCSELs 的真正商用化还面临许多关键技术问题亟需解决。有关电泵浦和光泵浦自旋激光器在第二章有详细介绍。
【学位授予单位】:西南大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2018
【分类号】:TN248

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本文编号:2623487

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