有机薄膜晶体管的界面特性对其气敏性能的影响
【图文】:
四种 OTFT 器件结构图。(a)底栅顶接触;(b)底栅底接触;(c)顶栅触。(Drain 为源极电极,Source 为漏极电极,,Organic Semiconducielectric 为介电层,Gate 为栅极电极,Substrate 为器件制备所用基
图 1-2 典型的 MOSFET 结构图T 实际上可以理解为是一种电学开关,通过栅极电压(VG)来调S),在栅极电压作用下,对应类型的载流子将会聚集在有机半,这时对源极和漏极施加适当的电压差(V
【学位授予单位】:电子科技大学
【学位级别】:博士
【学位授予年份】:2018
【分类号】:TN321.5
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