高取光效率的LED阵列封装研究
【图文】:
是利用III-V族化合物材料所制成的P型及N型半导体接合,形成二极管形式。该二极管的PN结会形成一内建电场和结区势垒,该势垒将使导电带和价电带弯曲,如图1.1所示。结区势垒会在一定程度上阻止空穴和电子运动。若向LED施加合适的正向偏压,此时势垒下降,致使空穴向N区迁移,电子向P区迁移。由于迁移率的差别,电子的迁移率远大于空穴的迁移率,因此大量电子迁移至P区,形成对P区少子的注入。接下来,电子会和价带上的空穴复合之后会产生光子和声子。其中,电子和空穴有两种复合方式:1)辐射复合(也称为直接复合),2)非辐射复合(也称为间接复合)。
LED的光通量会比其它技术要高,并且成本亦较其它技术低,所以目前LED产业均以此制作方法量产白光LED。3) 蓝光LED芯片搭配红、绿两种颜色的荧光粉:如图1.2(c)为了补充白光LED光谱中的红色波段光谱,利用蓝光激发红、绿荧光粉的方式即:460 nm、530nm、630 nm三波段的混合,可提高白光混合光谱中红色光谱能量成分的比值,极大地提高白光LED的显色性,只是目前所能够制备的红色荧光粉的效率尚待提高。4) 紫外LED(UV LED)芯片搭配RGB荧光粉:如图1.2(d)此类LED与目前市场上销售的家用日光灯的原理相似,,日光灯是在灯管的内壁上涂满RGB荧光粉,当紫外线入射到灯管内壁时,RGB三色光混成白光。UV LED也是利用同样的原理,其方法主要是使用UV LED芯片发出的紫外光去激发红、绿、蓝三色荧光粉
【学位授予单位】:中国计量大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2018
【分类号】:TN312.8
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本文编号:2635361
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