基于光子晶体微腔的深亚波长纳米线激光器研究
【图文】：
第一章绪论、可见光纳米线激光器和近红外纳米线激光器。逡逑（Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）纳米线激光器逡逑段的激光器在交互领域，光的存储领域，医疗领域需求及ＺｎＯ受到了研究者的关注。逡逑料是一种ＩＩＩ－ＶＩ族半导体材料，已经有大量的文献基。ＺｎＯ材料具有无毒无害的特点，另外易于制备。在此带隙性能，能够在常温条件下有效的激射。前文所提及Ｈｕａｎｇ等人在２００１研制了第一个基于ＺｎＯ纳米段是３８５ｎｍ附近，具有小于ｌｎｍ的线宽。如图１－２所线阵列不仅侧面凭证，排列规律，具有良好的单晶性。人制备了了邋ＺｎＯ纳米线阵列［２９１能够产生室温下激光的排列的单列ＺｎＯ纳米线中也能够存在室温下的激射［４１］。逡逑
从物理因素上会降低端面反射率，从何会导致近红外纳米线激光器的逡逑阈值增大。于２００６年，Ｌｏｕｉｓｖｉｌｌｅ的Ｃｈｉｎ采用频率为飞秒的激光作为泵浦源，逡逑在（ＧａＳｂ）纳米线上，观察到了近红外波段的激射［３６］。如图１－４，在频率为飞逡逑秒的光泵浦下，锑化镓纳米线的光谱的半高宽随着泵浦功率的增大逐渐减小，当逡逑功率到达一定程度，此时纳米线出射的激光波长约为１５５３邋ｎｍ。日本Ｈｏｋｋａｉｄｏ的逡逑Ｈｕａ的研宄组在２００７年研究了砷化镓（ＧａＡｓ）纳米线中法布里珀罗模式的激逡逑光出射［５３】，，处于近红外波段。逡逑？－逦Ａｂｏｖｅ邋ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ逡逑■■■邋Ｂｅｌｃｓｖ邋ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ逡逑３逡逑之晒逡逑０￥逡逑ｃ逡逑ＣＪ邋－逡逑ｃ逡逑」逡逑Ｑ．－逡逑１逦１邋ｔ邋ｂ邋Ｉ邋＊邋Ｉ邋１逡逑１５２０逦１５４０逦１５６０逦１５８０逡逑Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ邋（ｎｍ）逡逑图１－４砷化镓纳米线的光致发光光谱［５３］逡逑６逡逑
【学位授予单位】：北京邮电大学
【学位级别】：硕士
【学位授予年份】：2019
【分类号】：TN248;O734
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