忆感器混沌系统及其在信息加密中的应用研究
发布时间:2020-04-28 23:24
【摘要】:纳米级别的忆阻器、忆容器和忆感器作为新型的电路元件,具有不同于其它电路元件的独特性能,在非易失性存储、神经网络、数字逻辑电路等领域有着重要的应用价值。其中HP实验室在2008年成功研制出了忆阻器的物理器件,使得忆阻器迅速成为国内外学者研究的热点。而到目前为止忆感器的物理器件还没有实现,对于忆感器的研究也比较少,主要是一些建模与仿真。本文主要研究忆感器数学模型和其仿真电路的构建,基于忆感器模型设计混沌振荡电路,探究忆感器在电路中的复杂动力学行为,并将忆感器混沌序列应用于信息加密之中。本文主要的研究内容有以下几个部分:(1)根据忆感器的定义式,设计了一个磁控忆感器和一个流控忆感器数学模型,并搭建了相应的等效电路,用来模拟实际忆感器的电学特性。采用Multisim软件对忆感器模型的等效电路进行电路仿真,发现在给定正弦激励后,它们的韦安特性是紧致的滞回曲线,证明了忆感器模型的正确性。(2)基于混沌基本理论与分析方法,为了探究忆感器的应用,利用磁控忆感器数学模型设计了一个具有隐藏吸引子的混沌系统。通过平衡点和耗散性的计算证明了系统出现混沌的可能性,然后用分岔图、Lyapunov指数对系统的动力学特性进行了探究,发现系统的最大特点是能够出现具有对称性的共存隐藏吸引子,并给出了该现象产生的具体条件。最后用DSP实验将混沌系统产生的信号进行离散化处理,从而验证了 Matlab仿真的正确性。(3)基于磁控忆感器模型搭建了一个混沌振荡电路,通过平衡点集、分岔图、Lyapunov指数、Lyapunov维数、动力学地图观察了参数变化时系统状态的演变过程,还发现了忆感器混沌中共存吸引子的现象,并给出了该现象产生的具体条件。还对系统进行了降维分析,降维后的数据先进行离散化处理,然后通过数模转换得到伪随机序列,对伪随机序列进行了NIST测试,测试结果显示了该序列具有优良的随机性,应用于信息加密和保密通信中有很大的价值。(4)对忆感器混沌系统产生的序列进行应用研究,将提取出的伪随机序列与流行的DES加密算法相结合,设计了一个基于Linux操作系统的信息加密传输应用程序,用混沌序列作为加密算法的密钥,算法用C++语言编写。因为忆感器混沌系统的密钥空间比较大,对加密信息进行破译难度非常大,所以应用程序的信息传输安全性得到了保障。
【图文】:
研宄二氧化钛薄膜时发现它的电荷和磁通之间表现为滞回特性,这一重大发现使得忆阻器立逡逑马成为了研究热点。2009年Chua等人在忆阻器的基础上,,又提出了忆容器和忆感器两种新逡逑的记忆元器件[2]。从图2.1可以清晰的看到,各个元件所表征的两两电路变量的关系,具体逡逑可以归结于传统电路元件的两两之间线性关系,记忆元件的两两之间某种关系。逡逑"V=窑(p=\{v(T)dT逦 ̄(p邋=邋^邋P邋=邋\[(p(T)dT^\^y逡逑图2.1物理量之间的数理关系逡逑我们知道,普通的电阻、电容、电感的定义式为:逡逑dv邋=邋Rdi逡逑<邋dq邋=邋Cdv逦(2.1)逡逑dcp-Ldi逡逑7逡逑
逡逑由图2.1可知忆阻器描述的磁通量p和电荷量q之间的关系,由法拉第电磁感应定律磁知逡逑道,磁通量p是电压v对时间的积分,电荷量g是电流/对时间的积分:逡逑d(p邋-邋vdt逦(2.2)逡逑dq邋=邋idt逦(2.3)逡逑忆阻器的定义式如下:逡逑d(p邋=邋Rs,dq逦(2.4)逡逑代表忆阻器的阻值。对于忆感器,图2.1中的/)和(T分别表示它两端的磁通和电荷对时间逡逑的积分:逡逑p{t)=\'邋^(p{r)dT逦(2.5)逡逑0-(0邋=邋j逦(2.6)逡逑由图2.1看出,忆感器表征的是和g之间的关系,表达式为:逡逑dp邋=邋LMdq逦(2.7)逡逑为忆感器的实时电感值,类似的,忆容器表征的是<7和^之间的关系,表达式为:逡逑dci邋=邋CMd(p逦(2.8)逡逑为忆容器实时电容值。逡逑2.邋1.2记忆器件的模型和特性分析逡逑忆阻器之所以称为记忆器件,是因为它表示的磁通量^和电荷量g在每一个时刻的代数逡逑关系并不是单一不变呈线性的:逡逑/(财)=0逦(2.9)逡逑式(2.9)中有电荷g和磁通p两个变量,具体的式(2.9)中有卸=Mdg和匆=两种表达形式,逡逑其中M为忆阻器的阻值
【学位授予单位】:杭州电子科技大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2019
【分类号】:O415.5;TP309.7;TN60
本文编号:2643974
【图文】:
研宄二氧化钛薄膜时发现它的电荷和磁通之间表现为滞回特性,这一重大发现使得忆阻器立逡逑马成为了研究热点。2009年Chua等人在忆阻器的基础上,,又提出了忆容器和忆感器两种新逡逑的记忆元器件[2]。从图2.1可以清晰的看到,各个元件所表征的两两电路变量的关系,具体逡逑可以归结于传统电路元件的两两之间线性关系,记忆元件的两两之间某种关系。逡逑"V=窑(p=\{v(T)dT逦 ̄(p邋=邋^邋P邋=邋\[(p(T)dT^\^y逡逑图2.1物理量之间的数理关系逡逑我们知道,普通的电阻、电容、电感的定义式为:逡逑dv邋=邋Rdi逡逑<邋dq邋=邋Cdv逦(2.1)逡逑dcp-Ldi逡逑7逡逑
逡逑由图2.1可知忆阻器描述的磁通量p和电荷量q之间的关系,由法拉第电磁感应定律磁知逡逑道,磁通量p是电压v对时间的积分,电荷量g是电流/对时间的积分:逡逑d(p邋-邋vdt逦(2.2)逡逑dq邋=邋idt逦(2.3)逡逑忆阻器的定义式如下:逡逑d(p邋=邋Rs,dq逦(2.4)逡逑代表忆阻器的阻值。对于忆感器,图2.1中的/)和(T分别表示它两端的磁通和电荷对时间逡逑的积分:逡逑p{t)=\'邋^(p{r)dT逦(2.5)逡逑0-(0邋=邋j逦(2.6)逡逑由图2.1看出,忆感器表征的是和g之间的关系,表达式为:逡逑dp邋=邋LMdq逦(2.7)逡逑为忆感器的实时电感值,类似的,忆容器表征的是<7和^之间的关系,表达式为:逡逑dci邋=邋CMd(p逦(2.8)逡逑为忆容器实时电容值。逡逑2.邋1.2记忆器件的模型和特性分析逡逑忆阻器之所以称为记忆器件,是因为它表示的磁通量^和电荷量g在每一个时刻的代数逡逑关系并不是单一不变呈线性的:逡逑/(财)=0逦(2.9)逡逑式(2.9)中有电荷g和磁通p两个变量,具体的式(2.9)中有卸=Mdg和匆=两种表达形式,逡逑其中M为忆阻器的阻值
【学位授予单位】:杭州电子科技大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2019
【分类号】:O415.5;TP309.7;TN60
【参考文献】
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本文编号:2643974
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