窄脉冲宽度、高峰值功率946nm、1123nm全固态脉冲激光器研究

发布时间：2020-05-10 13:59

【摘要】：将脉冲激光二极管(LD)侧面泵浦增益介质技术、主被动双调Q技术、腔倒空技术相结合的全固态激光器可以实现高单脉冲能量、窄脉冲宽度、高峰值功率的脉冲激光,并具有能量转换效率高、可实现系列非线性变换等优点,已被广泛应用于工业精加工、医疗、激光雷达、激光通信、激光测距等诸多领域。为了获得窄脉冲宽度、高峰值功率的946 nm激光和1123 nm激光,本论文进行了如下实验研究:开展窄脉冲宽度、高峰值功率的双调Q 946 nm激光器实验研究。采用脉冲808nm LD侧面泵浦高掺杂、大尺寸的Nd:YAG晶体棒、单块双45o-Mg O:LN横向加压电光调Q晶体和单层Mo Se2被动可饱和吸收镜,通过对双调Q谐振腔的优化设计,在脉冲重复频率550 Hz时,获得脉冲宽度9.1 ns、峰值功率346 k W的946 nm线偏振脉冲激光输出。开展窄脉冲宽度、高峰值功率的1123 nm腔倒空激光器实验研究。采用脉冲808nm LD侧面泵浦高掺杂、大尺寸的Nd:YAG陶瓷棒、Mg O:LN电光晶体横向加压电光调制及腔倒空技术,通过对腔倒空谐振腔的优化设计,在脉冲重复频率100 Hz时,获得窄脉冲宽度为4.07 ns、峰值功率9.73 MW的1123 nm线偏振脉冲激光输出。
【图文】：

过渡金属硫化物,二维

层等纳米结构的广泛研究[67]。隙为 1.56eV[68-69]，在可见光和红外光波段有inance, PL)具有高量子产率和强自旋轨道耦极管(LED)以及光伏器件等纳米光电器件中的饱和吸收强度和较高的损伤阈值[72]，使激光应用中相比零带隙的石墨烯和饱和吸收。Se2的单层材料为直接带隙结构，随着材料层。随着材料层数的减少，间接带隙逐渐增大是，由于二维材料在实际应用不是理想的无起材料带隙减小，因此，对于有限面积的单，正是这一特性使得单层 MoSe2材料用于 9

示意图,电光晶体,示意图,晶体

25pm/V 的优点，故也被用于制作 Q 开关等，KD*、干燥的环境中使用。RbTiOPO4RTP）[76]是 KTP 同族晶体，晶体透过，主要应用于电光开关和电光调制，常用 Q 开关m及 2.128 μm。但 RTP 晶体存在负极面电致发黑、较高。(LiNbO3，LN)，属三方晶系，晶体透过范围是 0.4cm2(10ns, 1064nm)，电光系数 r33=38.5 pm/V (Y-c0.6pm/V（X-cut），LN 是一种铁电晶体，，具有铁电等多性能。制和纵向电光调制加压后会改变其折射率，入射偏振光通过加压晶体电压相位会改变 π/4，加半波电压相位会改变 π/纵向加压和横向加压，分别如图 1.2 和图 1.3 所示:
【学位授予单位】：西北大学
【学位级别】：硕士
【学位授予年份】：2018
【分类号】：TN248

【参考文献】