当前位置:主页 > 科技论文 > 电子信息论文 >

氧化硅波导光开关应力与热传导特性的研究

发布时间:2020-06-03 12:49
【摘要】:基于硅基光波导的平面光波电路(Planar Lightwave Circuits,PLC)技术,因其在晶片批量生产中的先进性,使其正在推动功能部件的应用以满足工业增长的需求。在本文中,研究了PLC技术中马赫-泽德干涉仪(Mach-Zehnder Interferometer,MZI)型2x2热光开关器件的薄膜应力特性和热传导特性及其对器件光学性能的影响。首先,利用理论模型和数值模拟研究所有膜层之间的相互作用,在6英T 硅晶片上发现了非线性分布的结构应力,是传统应力理论中热应力和薄膜生长应力之外的应力。通过对SiO_2薄膜沉积过程中的热应力、生长应力和结构应力进行数值计算获得了剩余应力,发现与实验结果更加接近,从而进一步证明了所用理论模型之精确,同时在模拟过程中还发现基底的初始曲率对后期多层薄膜之间的结构应力有明显的影响,进而分析这些应力之间的平衡过程及其在晶片上的分布。利用等离子体化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD),分别从理论研究和镀膜工艺上对6英T 硅晶片上的SiO_2薄膜应力的变化情况和折射率的分布规律进行研究和改进,发现了薄膜芯层通过GeH_4流量而不是SiH_4流量改变折射率时可提高薄膜均匀性并减小应力。另外,利用MZI型2x2热光开关器件研究其开关过程中的热传导特性,进而对热光开关功耗和速度进行优化。通过数值计算、光波传输方法软件模拟、热流传导过程的COMSOL模拟和实验研究,发现了基于热光效应的MZI型光开关的开关功耗和开关速度与上包层厚度和热流传导过程有关。同时,实验研究表明,薄膜的光折射率与应力在晶片上的分布对器件光损耗与偏振相关损耗性能有明显的影响。PLC集成器件的商业应用需要在产品研发中获得均匀的性能分布和批量生产中获得高良品率,因此稳定的光学性能和产品成品率是需要关注的重要问题。
【图文】:

热光开关,器件结构


图 2.1 MZI 型热光开关器件结构图a)MZI 型热光开关俯视图 b)热光调制部分的器件截面制效果的理论模型开关中的一个波导进行加热,加热器引起温度变化的折射率调制,并进一步引起光学相位变化,MZI义[55]:2( )armnT LTπφλ Δ = Δ 长,,L是加热电极的长度, n / T 是光波导材料的系数值是5n / T 1.08 10 /K = × , ΔT 是 MZI 的两位:J/s m3]和hQ [单位:J/m3]分别表示系统的能量密流量矢量q [单位:W/m2]的关系为:hhEQ qt =

示意图,加热器,结构系统,波导


max minh hh hC TQTρ tρ = + Δ ZI 型波导器件的热光相位调制特性相结合,以建立器间的关系。论模型,hW 和hL 分别是加热器的长和宽,所以其面积值由h S g仅有几十个微米,这样短的热传输距离可以认为热量线性的,即dTdx=常数。
【学位授予单位】:长春理工大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2019
【分类号】:TN256

【参考文献】

相关期刊论文 前5条

1 孙静雯;孙健;王艳双;曲禄成;王希斌;王菲;张大明;;低功耗聚合物MZI结构热光开关研究[J];中国激光;2015年07期

2 查英;孙德贵;刘铁根;张鹰;李小奇;;基于Banyan网络的无阻塞SiO_2波导4×4矩阵光开关[J];光电子.激光;2007年08期

3 潘永强;;射频等离子体增强化学气相沉积SiN_x薄膜的研究[J];光子学报;2007年06期

4 申雁鸣;贺洪波;邵淑英;范正修;;沉积温度对电子束蒸发HfO_2薄膜残余应力的影响[J];中国激光;2006年06期

5 邵淑英,田光磊,范正修,邵建达;沉积参量及时效时间对SiO_2薄膜残余应力的影响[J];光学学报;2005年01期

相关硕士学位论文 前2条

1 冯航;微光子集成芯片的关键工艺研究[D];长春理工大学;2014年

2 毛岸;高速硅基Mach-Zehnder调制器设计与模拟[D];华中科技大学;2008年



本文编号:2694846

资料下载
论文发表

本文链接:https://www.wllwen.com/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/2694846.html


Copyright(c)文论论文网All Rights Reserved | 网站地图 |

版权申明:资料由用户0cddc***提供,本站仅收录摘要或目录,作者需要删除请E-mail邮箱bigeng88@qq.com