当前位置:主页 > 科技论文 > 电子信息论文 >

GaN宽带高效率功率放大器研究与设计

发布时间:2020-06-21 07:41
【摘要】:随着现代移动无线通信技术的快速发展,2G、3G、4G无线通信技术即将成为过去式,第五代移动通信技术(5G)正在悄然来临。新的移动通信系统需要向下兼容的要求导致了现代移动通信系统呈现出多种通信模式和多个通信频段并存的局面。而功率放大器做为无线通信系统的关键性模块电路,其宽带、功率、线性度等性能直接影响着整个无线通信系统的通信质量。本论文正是基于多模式、多频段无线通信系统的发展现状及发展趋势而开展的对宽带高效率功率放大器电路的研究及设计。第一款是多倍频程高效率功率放大器,针对倍频程功率放大器的设计的特点,本文利用负载牵引技术分析输入功率、偏置电压、工作频率对功率器件输出阻抗的影响,从而寻找出满足宽带、功率、效率等性能指标的最优阻抗区域;输入、输出匹配网络采用了切比雪夫多节阻抗变换器的综合设计方法,很好的拓展了输入、输出匹配网络的带宽性能;运用Ga N CGH40010F功率器件实现了0.8-4.0GHz(相对带宽133%)多倍频程高效率功率放大器电路。连续波大信号测试结果表明:在0.8-4.0GHz的频率范围内输出功率为39.5-42.9 d Bm,漏极效率为54.20%-73.73%,增益为9.4-12.0 d B。在中心频率2.4GHz未利用线性化技术的情况下使用5MHz WCDMA调制信号测试得到功率放大器的邻近信道泄漏比(ACLR)为-27.2 d Bc。本文设计的工作频率能够覆盖目前主要的无线通信系统包括Wi Fi、GSM、3G、4G以及5G等。第二款宽带高效率功率放大器的设计提出了一种拓展匹配网络的带宽性能的改进型结构,主要思想是通过降低匹配网络的阻抗变化比进而拓展匹配网络的带宽。通过对CGH40010F的阻抗点分析及微带线阻抗变换计算,可以得到在0.8-2.5GHz的频带内功率器件的阻抗收敛于实阻抗20?,然后通过具有宽带性能的Klopfenstein阻抗渐变线完成实阻抗20?到实阻抗50?的阻抗变换。连续波大信号测试结果表明:在0.8-2.5GHz的工作频率范围内的输出功率为40.54-42.72d Bm,漏极效率为55.42%-80.47%,增益大于10.21d B。在中心频率1.8GHz未利用线性化技术的情况下使用5MHz WCDMA调制信号测试得到功率放大器的邻近信道泄漏比(ACLR)为-34.5 d Bc。本文针对功率放大器输出功率、漏极效率、工作带宽、线性度等性能指标的提升做了详细的分析和工程设计,并且通过本文的分析与设计很好的完成了在保证功率放大器的输出功率、效率、线性度等条件下实现拓展带宽目的。
【学位授予单位】:杭州电子科技大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2018
【分类号】:TN722.75
【图文】:

电信,无线通信系统,进程


图 1-1 移动无线通信系统的发展进程2535z70808909153454601710173517451800MHz移动GSM联通GSM联通LTE FDD电信LTE FDD176517801785180518301840移动GSM联通GSM联通LTE FDD电信LTE FDD186018751880188019001915移动SCMDATD-LTE电信FDD/3G192019401965移动TD-LTE联通FDD/3G1885197521102025电信3G/FDD21552165移动TD-SCDMA20102025电信3G/FDD1900/2100MHz23002320联通TD-LTE2370移动TD-LTE联通FDD/3G23902300MHz2440联TD移TD电TD260

电信,未分配,频段,频谱资源


线通信系统的发展进程188019001915移动CMDAD-LTE电信DD/3G192019401965移动TD-LTE联通DD/3G1885197521102025电信G/FDD动TD-CDMA20102025电信G/FDD/2100MHz23002320联通TD-LTE2370移动TD-LTE联通FDD/3G23902300MHz244025002555联通TD-LTE2575移动TD-LTE电信TD-LTE26552600MHz2635

【相似文献】

相关期刊论文 前10条

1 周泽伦;多新中;王栋;;S波段GaN微波功率器件的研制[J];电子器件;2017年01期

2 赵伟星;来晋明;罗嘉;;一种L波段高效率阵列应用GaN功率放大器[J];电子信息对抗技术;2017年01期

3 吴月芳;郭伟玲;陈艳芳;雷亮;;GaN基肖特基势垒二极管结构优化研究进展[J];发光学报;2017年04期

4 孙茜怡;关钰;;一种用于GaN紫外探测器的前置放大器电路的分析与设计[J];科技创新与应用;2017年20期

5 徐昌一;;石墨烯应用于GaN基材料的研究进展[J];发光学报;2016年07期

6 崔浩;罗维玲;龚利鸣;胡文宽;;一种S频段GaN功率放大器的研制[J];空间电子技术;2013年03期

7 谢晓峰;肖仕伟;沈川;吴尚昀;;多倍频程GaN分布式功率放大器的设计与实现[J];微波学报;2013年04期

8 刘万金;胡小燕;喻松林;;GaN基紫外探测器发展概况[J];激光与红外;2012年11期

9 孙鲁;赵慧元;苏秉华;;GaN基量子阱红外探测器的设计[J];现代电子技术;2011年10期

10 李飙;常本康;徐源;杜晓晴;杜玉杰;王晓晖;张俊举;;GaN光电阴极的研究及其发展[J];物理学报;2011年08期

相关会议论文 前10条

1 张哲;陈波;杨伟;朱翰韬;蒲兴月;;基于GaN芯片S波段宽带功率放大器设计[A];2017年全国微波毫米波会议论文集(下册)[C];2017年

2 郑加永;徐晓敏;张晨晖;苏忠良;李建新;汪海;张红萍;杨晓凯;;一例GAN基因双重杂合突变导致的巨轴索神经病[A];2015年浙江省医学遗传学学术年会暨高通量基因测序产前筛查与诊断技术研讨会论文汇编[C];2015年

3 来继承;何杰;孙晨皓;周永兴;舒雄俊;文进才;;基于GaN器件应用于3G/4G的高效率功率放大器设计[A];2015年全国微波毫米波会议论文集[C];2015年

4 陈勇波;周建军;徐跃杭;国云川;徐锐敏;;GaN高电子迁移率晶体管高频噪声特性的研究[A];2011年全国微波毫米波会议论文集(下册)[C];2011年

5 刘福浩;许金通;王玲;王荣阳;李向阳;;GaN基雪崩光电二极管及其研究进展[A];第十届全国光电技术学术交流会论文集[C];2012年

6 田吉利;张化宇;汪桂根;韩杰才;崔林;孙瑞;王立熠;;氢化物气相外延法生长GaN厚膜的数值模拟[A];第十六届全国晶体生长与材料学术会议论文集-01晶体生长基础与数值模拟[C];2012年

7 陆敏;付凯;;利用核废料发电的GaN辐射伏特效应核电池研究[A];2010中国核电产业科技创新与发展论坛论文集[C];2010年

8 钟海舰;刘争晖;徐耿钊;石林;樊英民;黄增立;徐科;;基于导电原子力显微镜技术对石墨烯与GaN接触界面电学性质的研究[A];中国化学会第29届学术年会摘要集——第32分会:纳米表征与检测技术[C];2014年

9 江永清;李应辉;黄烈云;肖灿;叶嗣荣;向勇军;;64×64元GaN基紫外图像传感器的设计[A];2004全国图像传感器技术学术交流会议论文集[C];2004年

10 龚海梅;张燕;赵德刚;郭丽伟;李向阳;;基于GaN的半导体紫外光传感器[A];第二届长三角地区传感技术学术交流会论文集[C];2006年

相关博士学位论文 前10条

1 章晋汉;GaN功率器件与CMOS工艺兼容技术及可靠性研究[D];电子科技大学;2018年

2 程洋;GaN基激光器的内部参数研究[D];中国科学技术大学;2018年

3 李建飞;GaN基HEMT和LED结构的光电特性研究[D];山东大学;2018年

4 霍勤;利用多孔衬底HVPE生长GaN单晶及其不同晶面性质的研究[D];山东大学;2018年

5 刘芳;GaN基器件肖特基接触的新结构和新材料的研究[D];天津大学;2010年

6 杨景海;Ⅲ-V族化合物半导体材料GaN外延膜和InAs量子点的制备及光学特性研究[D];吉林大学;2006年

7 徐波;GaN纳米管的理论研究及GaN紧束缚势模型的发展[D];中国科学技术大学;2007年

8 龚欣;GaN异质结双极晶体管及相关基础研究[D];西安电子科技大学;2007年

9 刘战辉;氢化物气相外延GaN材料性质研究[D];南京大学;2012年

10 徐大庆;GaN基稀磁半导体的理论与实验研究[D];西安电子科技大学;2009年

相关硕士学位论文 前10条

1 赵子明;GaN宽带高效率射频功率放大器研究[D];杭州电子科技大学;2018年

2 王永贺;GaN宽带高效率功率放大器研究与设计[D];杭州电子科技大学;2018年

3 辛奇;GaN基垂直器件耐压机理及新结构研究[D];电子科技大学;2018年

4 邱岳;硅衬底GaN基黄光LED的生长条件对光电性能影响的研究[D];南昌大学;2018年

5 李玲;GaN基隧穿器件的制备及特性的研究[D];吉林大学;2017年

6 徐昌一;石墨烯与GaN材料的接触研究[D];中国科学院研究生院(长春光学精密机械与物理研究所);2015年

7 曹志芳;N型GaN欧姆接触研究[D];西安电子科技大学;2013年

8 廉海峰;高深紫外量子效率GaN基紫外探测器的研究[D];南京大学;2013年

9 吕玲;P型GaN欧姆接触特性研究[D];西安电子科技大学;2008年

10 张旭虎;GaN耿氏二极管及振荡器设计[D];西安电子科技大学;2011年



本文编号:2723762

资料下载
论文发表

本文链接:https://www.wllwen.com/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/2723762.html


Copyright(c)文论论文网All Rights Reserved | 网站地图 |

版权申明:资料由用户31a99***提供,本站仅收录摘要或目录,作者需要删除请E-mail邮箱bigeng88@qq.com