低压恒跨导轨至轨CMOS运算放大器的研究与设计
【学位授予单位】:哈尔滨理工大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2018
【分类号】:TN722.77
【图文】:
NMOS管的I-V特性曲线
Fig.2-4 Simplified and small signal model of MOS tube高频小信号电路时,需要考虑到各种寄生器件的影响,完型如图 2-5 所示。gsC、dgC、gbC分别是栅极与源级、漏sbC 、dbC 是衬底和源级、漏极之间的结电容。
Fig.2-5 Complete and small signal model of MOS tube放大器的基本结构框图放大器通常是差动输入-单端输出的高增益放大器,其基本结差分输入电路、高增益放大级、输出缓冲级和补偿电路这 5 示。
【参考文献】
相关期刊论文 前8条
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本文编号:2744799
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