酞菁铜薄膜二极管的封装模式研究
【学位授予单位】:哈尔滨理工大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2019
【分类号】:TN321.5
【图文】:
哈尔滨理工大学工学硕士学位论文解决器件在传统玻璃或金属后盖式封装时遇到的后盖质量过形的问题,并且用 PI 材料封装的方法成本低、封装效果更好I 封装得到垂直结构有机薄膜器件的 PI 封装方法中,需将与玻璃基 薄膜覆盖于器件制备完成的玻璃基板上,在 PI 薄膜与玻璃衬用环氧树脂连接密封,防止空气以及其他微小粒子接触器件光固化 1 小时,此时环氧树脂由液态变为固态,不再具有流器件结构如图 3-5 所示。
图 3-8 酞菁铜薄膜与 PI 复合封装的有机二极管Fig.3-8 Organic diode encapsulated by CuPc and PI films机薄膜器件的测试试电路中制备的垂直结构有机薄膜二极管的金属 Cu 电极为阳极,A测试电路及等效电路分别如图 3-9 a)和 b)所示。AlCuPcCu
图 3-8 酞菁铜薄膜与 PFig.3-8 Organic diode encap3.3 有机薄膜器件的测试3.3.1 测试电路本文中制备的垂直结构有机薄膜二阴极,其测试电路及等效电路分别如图
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