一种应用于脉冲功率领域的4H-SiC GTO晶闸管的设计
【学位授予单位】:电子科技大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2019
【分类号】:TN34
【图文】:
Si与4H-SiC的材料特性差异[5]
不同尺寸的4H-SiC晶片中微管缺陷密度的发展[10]
Cree公司制造的4H-SiCGTO发展历程
【参考文献】
相关期刊论文 前9条
1 马山刚;于歆杰;李臻;;用于电磁发射的电感储能型脉冲电源的研究现状综述[J];电工技术学报;2015年24期
2 梁琳;余岳辉;;半导体脉冲功率开关发展综述[J];电力电子技术;2012年12期
3 颜骥;雷云;任亚东;潘学军;曾文彬;余伟;熊思宇;;一种应用于脉冲功率领域的IGCT[J];大功率变流技术;2012年06期
4 任亚东;李世平;颜骥;熊辉;熊思宇;余伟;曾文彬;张方毅;;半导体脉冲功率开关的最新进展[J];强激光与粒子束;2012年04期
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相关博士学位论文 前2条
1 王冬冬;大功率固态开关在脉冲功率应用中的特性研究[D];复旦大学;2011年
2 郜锦侠;4H-SiC隐埋沟道MOSFET理论和实验研究[D];西安电子科技大学;2005年
相关硕士学位论文 前2条
1 杨超;台阶场板结构4H-SiC高压肖特基二极管的研究[D];西安电子科技大学;2013年
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本文编号:2762677
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